SEMI-CONDUCTOR DIELECTRIC COMPONENT WITH A PRASEODYMIUM OXIDE DIELECTRIC

摘要

Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit einer siliziumhaltigen Schicht und einer Praseodymoxidschicht, bei dem zwischen der Siliziumschicht und der Praseodymoxidschicht eine Mischoxidschicht enthaltend Silizium, Praseodym und Sauerstoff angeordnet ist. Die Schicht weist eine Dicke von maximal 5 Nanometern auf. Weiterhin betrifft die Erfindung ein Herstellungsverfahren für ein solches Halbleiterbauelement. Mit Hilfe der Mischoxidschicht kann einerseits die Kapazität des Bauelements gegenüber bisher bekannten Bauelementen, die eine Siliziumoxid-Zwischenschicht enthalten, verbessert werden. Zum anderen wird eine hohe Ladungsträgerbeweglichkeit ohne die Notwendigkeit einer Siliziumoxid-Zwischenschicht erzielt.