| 发明名称 |
Scintillator |
| 摘要 |
A scintillator is made of a Group III nitride compound semiconductor layer.
|
| 申请公布号 |
US2004069950(A1) |
申请公布日期 |
2004.04.15 |
| 申请号 |
US20030627983 |
申请日期 |
2003.07.28 |
| 申请人 |
TOYODA GOSEI CO., LTD. |
发明人 |
ANDO MASANOBU;SAWAZAKI KATSUHISA;NAKAYAMA MASAAKI |
| 分类号 |
G01T1/20;C09K11/00;C09K11/62;C09K11/64;G01T1/164;G01T1/202;G01T1/29;(IPC1-7):G01T1/20 |
主分类号 |
G01T1/20 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
