Schaltungselement mit Metallsilizidgebiet, das durch ein Barrierdiffusionsmaterial thermisch stabilisiert ist

摘要

Das Einführen eines Diffusionsbarrierenmaterials, etwa Stickstoff, in ein Silizium enthaltendes leitendes Gebiet, beispielsweise die Drain- und Sourcegebiete und die Gateelektrode eines Feldeffekttransistors, ermöglicht die Herstellung eines Nickelsilizids, das im Wesentlichen thermisch stabil bis zu Temperaturen von 500 DEG C ist. Somit kann die Bauteilleistungsfähigkeit deutlich verbessert werden, da der Schichtwiderstand von Nickelsilizid deutlich kleiner als jener von Nickeldisilizid ist.