| 发明名称 |
IPG-Transistor mit vertikalem Gate-Komplex und Verfahren zu dessen Herstellung |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE19702531(B4) |
申请公布日期 |
2004.04.15 |
| 申请号 |
DE19971002531 |
申请日期 |
1997.01.24 |
| 申请人 |
FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FOERDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. |
发明人 |
GRASL, THOMAS |
| 分类号 |
H01L21/335;H01L21/336;H01L29/775;H01L29/786;(IPC1-7):H01L21/336;H01L21/31 |
主分类号 |
H01L21/335 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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