| 发明名称 | 干光刻法及用其形成栅图案的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及无抗蚀剂的干光刻法以及用其形成栅图案的方法。本发明利用暴露在高能电子束下的硅层部分的干法蚀刻敏感性发生改变的现象。干光刻法包括步骤：制备硅的图案转移目的物，将图案转移目的物上的需要部分在电子束下曝光，并实施活性离子蚀刻工艺以便选择性地蚀刻未被曝光的部分，从而留下图案转移目的物的曝光过的部分。本发明是一种全干法工艺，而且全部光刻工艺过程可以在受控环境中的一台群集设备上完成，该方法消除了晶片的人工操作并要求不暴露于大气环境，从而将加工过程中的污染最小化。 | ||
| 申请公布号 | CN1489184A | 申请公布日期 | 2004.04.14 |
| 申请号 | CN02154264.3 | 申请日期 | 2002.12.31 |
| 申请人 | 韩国电子通信研究院 | 发明人 | 李诚宰;朴京完;赵元珠;张汶圭;郑又硕 |
| 分类号 | H01L21/30;H01L21/027;H01L21/3065;H01L21/205;H01L21/28;G03F7/00 | 主分类号 | H01L21/30 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 黄小临;王志森 |
| 主权项 | 1.一种干光刻法，包括如下步骤：制备硅图案转移目的物；将该图案转移目的物的需要部分在电子束下曝光；并且实施活性离子蚀刻工艺，以便选择性蚀刻未曝光部分，从而留下图案转移目的物上的曝光部分。 | ||
| 地址 | 韩国大田市 | ||