半导体存储单元的制造方法

摘要

一种半导体存储单元制造方法包括具有有源区的半导体衬底上形成预定厚度的场氧化膜以覆盖有源区；去掉部分场氧化膜；在有源区的预定位置上形成至少一个栅极电极；在衬底内在栅极电极的每一侧上形成第[1]二源极区和漏极区；在包括栅极电极的衬底的上形成层间电介质膜；刻蚀层间电介质膜形成接触孔；在衬底规定区域上和接触孔内形成位线；刻蚀层间电介质膜形成节点接触孔以把部分第[1]二源极区和与第[1]二源极区毗邻的部分场区露出；在层间电介质膜上和通过该处的节点接触孔内形成节点电极。

主权项

1.一种半导体存储单元制造方法，它由下述步骤组成：在半导体衬底上与有源区相邻地形成具有鸟喙部分的场氧化膜以覆盖有源区；去掉场氧化膜上的鸟喙部分；在有源区上形成至少一个栅极电极；在衬底中栅极电极的每一侧形成第一源极区和漏极区；在栅极电极图形的每一侧壁上形成侧壁衬垫；在包括栅极电极的衬底上形成层间电介质膜；刻蚀层间电介质膜形成接触孔以露出所述漏极区；在接触孔内和层间电介质膜上形成位线；刻蚀层间电介质膜形成节点接触孔以露出第一源极区和部分半导体衬底，露出衬底的部分是场氧化膜的鸟喙被去除的部分；在层间电介质膜上和通过该处的节点接触孔内形成节点电极，由此在上述半导体衬底部分上形成一第二源极区。