| 发明名称 | 高频低损失电极 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种高频电极，包含主导体和沿主导体的侧面形成的至少两个分导体。分导体如此形成，从而其中较接近于外侧的分导体具有较小的宽度，其特征在于最接近于分导体的外侧的分导体具有小于在应用频率处集肤深度δ的π/2倍的宽度。 | ||
| 申请公布号 | CN1146070C | 申请公布日期 | 2004.04.14 |
| 申请号 | CN99118503.X | 申请日期 | 1999.08.31 |
| 申请人 | 株式会社村田制作所 | 发明人 | 日高青路;阿部真;太田充昭 |
| 分类号 | H01P3/08;H01P1/203 | 主分类号 | H01P3/08 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 陈亮 |
| 主权项 | 1.一种高频低损失电极，包含主导体和沿主导体的侧面形成的至少两个分导体，所述分导体如此形成，从而其中较接近于外侧的分导体具有较小的宽度，其特征在于最接近于分导体的外侧的分导体具有小于在应用频率处集肤深度δ的π/2倍的宽度。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||