| 发明名称 | 用于制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种制造半导体器件方法，包括步骤：形成穿过第一层间绝缘层与衬底接触的多个第一插头；在第一插头上形成第二层间绝缘层；形成通过选择性地蚀刻第二层间绝缘层与一组第一插头接触的导电图形；以及，用干法或湿法蚀刻，通过选择性地蚀刻第二绝缘层形成接触孔，接触孔暴露不与导电图形接触的第一插头的表面，其中，在第一层间绝缘层和第二层间绝缘层之间上形成侵蚀阻挡层，从而在形成接触孔的湿法蚀刻工艺期间，防止发生对与第一插头接触的第一层间绝缘层的侵蚀。 | ||
| 申请公布号 | CN1489187A | 申请公布日期 | 2004.04.14 |
| 申请号 | CN03158043.2 | 申请日期 | 2003.06.03 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 李圣权;李敏硕;金相益 |
| 分类号 | H01L21/31;H01L21/311;H01L21/768;H01L21/28;H01L21/8234 | 主分类号 | H01L21/31 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体器件的方法，包括步骤：形成穿过第一层间绝缘层与衬底接触的多个第一插头；在第一插头上形成第二层间绝缘层；形成通过选择性地蚀刻第二层间绝缘层与一组第一插头接触的导电图形；以及用干法或湿法蚀刻，通过选择性地蚀刻第二绝缘层形成接触孔，接触孔暴露不与导电图形接触的第一插头的表面，其中，在第一层间绝缘层和第二层间绝缘层之间上形成侵蚀阻挡层，从而在形成接触孔的湿法蚀刻工艺期间，防止发生对与第一插头接触的第一层间绝缘层的侵蚀。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||