横向双极型场效应复合晶体管及其制作方法

摘要

本发明涉及半导体器件及其制作方法，其中半导体器件完全或部分地以横向扩展方式工作。半导体器件包括至少两个高压横向双极型晶体管和至少两个相互对置的发射区/基区，晶体管安置在外延层表面上，其间的相互距离足以制作中间共用集电区。当向器件施加电压时，共用集电区可以完全耗尽，利用集电区的这种横向耗尽，半导体器件的耐压性可以由在器件中掺杂区之间光刻出的距离决定。此外，可以消除或抑制不需要的寄生元件，这些元件寄生依赖于器件有源层的质量、电阻率和衬底电势。

主权项

1.具有高击穿电压的有源层(12)中的半导体器件，其中器件具有至少一个具有降低场强的耗尽区，并包括：-上表面处于有源层(12)中的半导体材料的元件区(11)，元件区具有相对较低的第一导电类型(n)掺杂剂浓度，-环绕元件区向外围有源层(11a、11b)扩散的电隔离绝缘层(13)，-在元件区(11)中用于制作至少一个半导体元件(LBIP1、LBIP2、LJFET1和LJFET2)的凹陷晶体管区，-元件区中的至少三个外部电连接(8)，其特征在于：-器件包括至少两个分开的、处于元件区(11)中的凹陷基区(14a、14b)，基区具有相对较低的、与第一导电类型(n)掺杂剂相对的第二导电类型(p)掺杂剂浓度，其中凹陷基区由元件区的上表面开始延伸，-器件包括位于将凹陷基区(14a、14b)与元件区的其余部分划分开的每个表面上的PN结(20、22)，-器件包括至少一个安置在具有第一导电类型(n+)高掺杂剂浓度的元件区剩余部分中的漏极连接(D2a)，漏极连接与电连接(8)中的第一个相连，-每个基区(14a、14b)环绕发射区(E2a、E2b)，该发射区重掺杂了第一导电类型掺杂剂(n+)，并且与上述外部电连接(8)中的第二个电连接相连，和-至少一个基极连接区(B2a、B2b)，安置在每个基区(14a、14b)中，基极连接区重掺杂了第二导电类型掺杂剂(p+)，并且与电连接(8)中的第三个相连，其中，至少一个共用集电区(15)在元件区(11)上表面上的两个相邻基区(14a、14b)的PN结之间延伸，在漏极连接(D2a)和基极连接(B2a、B2b)之间的处于预定电势差的集电区至少在横向延伸(23)中完全耗尽。