高亮度超薄光半导体器件

摘要

本发明公开了一种高亮度超薄光半导体器件，其主要技术特点是：把面发光芯片(Chip)(A)(InGan/GaN LEDChip)用绝缘透光芯片胶粘剂(E)(UVCure)用胶粘剂，绝缘透明胶粘剂)胶粘于引线框架的Die PAD Cup上，并把从面发光芯片发射的光束中使反方向发射的光束透过绝缘透光环氧树脂胶粘剂后，被反射率高的镀有Ag的Die PAD CUP反射回来，实现向所要发射的方向，发射出更多的光束，所以能够得到更高亮度的超小型、超轻薄型SMD Type的Chip LED光半导体器件。既能使光器件受热冲击带来的应力最小化，而且能使芯片(Chip)LED超薄(Thin Thickness)化。

主权项

1、一种高亮度超薄光半导体器件，其特征是：把面发光芯片(Chip)(A)(InGan/GaN LED Chip)用绝缘透光芯片胶粘剂(E)(UV Cure)用胶粘剂，绝缘透明胶粘剂)胶粘于引线框架的Die PAD Cup上，并把从面发光芯片发射的光束中使反方向发射的光束透过绝缘透光环氧树脂胶粘剂后，被反射率高的镀有Ag的Die PAD CUP反射回来，实现向所要发射的方向，发射出更多的光束，所以能够得到更高亮度的超小型、超轻薄型SMD Type的Chip LED光半导体器件。