发明名称 | 具有电源极性反接保护的电路 | ||
摘要 | 一种具有电源极性反接保护的电路,它将保护用场效应管与被保护电路中元件的衬底相连接。保护用场效应管为PMOS场效应管或NMOS场效应管。若为PMOS,其栅极和源极分别连接被保护电路的接地端和电源端,其漏极连接被保护电路中PMOS元件的衬底。若是NMOS,其栅极和源极分别连接被保护电路的电源端和接地端,其漏极连接被保护电路中NMOS元件的衬底。一旦被保护电路的电源极性反接,保护用场效应管会形成断路,防止电流烧毁电路中的场效应管元件,保护整体电路。 | ||
申请公布号 | CN1146110C | 申请公布日期 | 2004.04.14 |
申请号 | CN00135086.2 | 申请日期 | 2000.11.30 |
申请人 | 点晶科技股份有限公司 | 发明人 | 秦旭沅;林文启 |
分类号 | H03K19/00;H02H11/00 | 主分类号 | H03K19/00 |
代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 钱慰民 |
主权项 | 1.一种具有电源极性反接保护的电路,所述电路包括:NMOS元件,其栅极与一输入端相连,其源极与一接地端相连,其漏极与一输出端相连;第一PMOS元件,其栅极与所述输入端相连,其源极与一电源相连,其漏极与所述输出端相连;第一寄生二极管,其负极与第一PMOS元件的衬底相连,其正极与所述NMOS元件的漏极相连;第二寄生二极管,其负极与所述NMOS元件的漏极相连,其正极与所述接地端相连;其特征在于,所述电路还包括:第二PMOS元件,它用作保护用场效应管,并且其源极连接至所述电源,其栅极连接所述接地端和所述NMOS元件的衬底,其漏极和衬底连接所述第一PMOS元件的衬底。 | ||
地址 | 中国台湾 |