于低介电材料层中形成导电结构的方法

摘要

一种于低介电材料层中形成导电结构的方法，此方法首先在一基底上形成一第一介电层。接着，在第一介电层上形成一低介电材料层，并且在低介电材料层上形成一第二介电层，其中第一介电层、低介电材料层以及第二介电层以一原位(In－Situ)沉积的方式所形成。之后，进行一微影蚀刻制作工艺，以在第二介电层、低介电材料层以及第一介电层中形成一开口，暴露出基底。继之，在开口中填入一导电层，以形成一导电结构。

主权项

1、一种于低介电材料层中形成导电结构的方法，其特征在于：包括：在一基底上形成一第一介电层；在该第一介电层上形成一低介电材料层；在该低介电材料层上形成一第二介电层，其中该第一介电层、该低介电材料层以及该第二介电层以一原位(In-Situ)沉积制作工艺所形成；进行一微影蚀刻制作工艺，以在该第二介电层、该低介电材料层以及该第一介电层中形成一开口，暴露出该基底；在该开口中填入一导电层，以形成一导电结构。