| 发明名称 | 生产半导体器件的方法及相应的半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种生产半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：在半导体衬底(10)上涂覆互连级(11，12)；形成所述互连级(11，12)的结构；以及以焊料层(13)呈现出互连级(11，12)的结构的方式，在结构化的互连级(11，12)上涂覆所述焊料层(13)。本发明同样提供了这样一种半导体器件。 | ||
| 申请公布号 | CN1489197A | 申请公布日期 | 2004.04.14 |
| 申请号 | CN03155305.2 | 申请日期 | 2003.08.26 |
| 申请人 | 印芬龙科技股份有限公司 | 发明人 | 哈里·黑德勒;托尔斯滕·迈尔;芭芭拉·瓦斯克斯 |
| 分类号 | H01L21/768;H01L21/28;H01L21/3205;H01L21/60;H01L23/52;H01L23/48 | 主分类号 | H01L21/768 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 龚海军 |
| 主权项 | 1、一种生产半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：在半导体衬底(10)上涂覆互连级(11，12)；形成所述互连级(11，12)的结构；以及以焊料层(13)呈现出互连级(11，12)的结构的方式，在结构化的互连级(11，12)上涂覆所述焊料层(13)。 | ||
| 地址 | 联邦德国慕尼黑 | ||