发明名称 抑制附加在数据线等上的寄生电容的薄膜磁性体存储器
摘要 将多条位线分割为各Y条(Y:2以上的整数)的多个群。此外,设置在数据读出时数据读出电流通过的Y条读出数据线,在每个群中设置导电性地耦合Y条位线与Y条读出数据线的Y个连接控制部。因此,可均等地分割与Y条读出数据线导电性地连接的连接控制部的个数,利用与连接控制部的导电性的连接,可抑制附加在读出数据线上的寄生电容。由此,可缩短将读出数据线充电到规定的电压电平时的充电时间,可进行高速的数据读出。
申请公布号 CN1489151A 申请公布日期 2004.04.14
申请号 CN03138661.X 申请日期 2003.06.06
申请人 三菱电机株式会社;三菱电机工程株式会社 发明人 谷崎弘晃;辻高晴;日高秀人
分类号 G11C11/15;G11C7/00 主分类号 G11C11/15
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 刘宗杰;王忠忠
主权项 1.一种薄膜磁性体存储器,其特征在于:具备:多个存储单元,以磁的方式存储数据并被配置成行列状;以及多条第1位线,分别与存储单元列对应地被设置,将上述多条第1位线分割为多个群,上述多个群分别包含X(X:2以上的整数)条上述第1位线,还具备:X条写入数据线,传递写入数据;以及多个第1写入控制电路,分别与上述多条第1位线对应地被设置,供给与上述写入数据对应的数据写入电流,上述X条写入数据线在各上述群中分别与对应的X个上述第1写入控制电路导电性地耦合。
地址 日本东京都