发明名称 | 抑制附加在数据线等上的寄生电容的薄膜磁性体存储器 | ||
摘要 | 将多条位线分割为各Y条(Y:2以上的整数)的多个群。此外,设置在数据读出时数据读出电流通过的Y条读出数据线,在每个群中设置导电性地耦合Y条位线与Y条读出数据线的Y个连接控制部。因此,可均等地分割与Y条读出数据线导电性地连接的连接控制部的个数,利用与连接控制部的导电性的连接,可抑制附加在读出数据线上的寄生电容。由此,可缩短将读出数据线充电到规定的电压电平时的充电时间,可进行高速的数据读出。 | ||
申请公布号 | CN1489151A | 申请公布日期 | 2004.04.14 |
申请号 | CN03138661.X | 申请日期 | 2003.06.06 |
申请人 | 三菱电机株式会社;三菱电机工程株式会社 | 发明人 | 谷崎弘晃;辻高晴;日高秀人 |
分类号 | G11C11/15;G11C7/00 | 主分类号 | G11C11/15 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 刘宗杰;王忠忠 |
主权项 | 1.一种薄膜磁性体存储器,其特征在于:具备:多个存储单元,以磁的方式存储数据并被配置成行列状;以及多条第1位线,分别与存储单元列对应地被设置,将上述多条第1位线分割为多个群,上述多个群分别包含X(X:2以上的整数)条上述第1位线,还具备:X条写入数据线,传递写入数据;以及多个第1写入控制电路,分别与上述多条第1位线对应地被设置,供给与上述写入数据对应的数据写入电流,上述X条写入数据线在各上述群中分别与对应的X个上述第1写入控制电路导电性地耦合。 | ||
地址 | 日本东京都 |