共聚物膜的制作方法、通过该形成方法制作的共聚物膜、及利用共聚物膜的半导体装置

摘要

本发明提供当用作构成半导体装置的层间绝缘膜时，在与与其下表面、上表面接触的其它半导体材料的界面上具有高附着性，另外膜整体的有效介电常数可以进一步降低的有机聚合物膜的制作方法。具体地，将气体的多种有机单体穿过在反应室内生成的等离子后喷射到加热的衬底表面上，形成含有由多种有机单体单元构成的骨架的共聚物膜。在该方法中，通过在膜生长的进程中变化各有机单体的相对供给量，从而连续生长层间绝缘膜，其中具有优良的机械强度及附着性、富含硅氧烷结构的膜设置在界面附近(91a、c，92a、c或93a、c)，并且具有低堆积密度的膜设置在它们中间作为中间层(91b、92b或93b)。

主权项

1.通过气相沉积法制作共聚物膜的方法，其中所述的共聚物膜由以至少两种以上有机单体单元为骨架的共聚物构成；所述的至少两种以上有机单体的每一种在单独存在该有机单体时可以聚合，并且至少在与另一种有机单体共存时也可以聚合；该方法包括以下步骤；将含有作为原料的所述的至少两种以上有机单体的蒸气的气体混合物供给到减压的反应室中；将供给的所述气体混合物喷射到被置于所述的反应室内的被加热的基底的表面上；使喷射的所述的气体混合物中所含的至少两种以上有机单体分子发生聚合，在被加热的基底的所述表面上形成共聚物膜。