发明名称 |
非易失性磁高速缓冲存储器 |
摘要 |
非易失性、双稳态磁隧道结高速缓冲存储器(15)包括高速缓存标记阵列(16)和高速缓存数据阵列(18)。高速缓存标记阵列包括以行和列排列的非易失性磁存储器标记单元(17)。每行标记阵列包括与该行上的每个标记单元相连的字线和数字线。高速缓存数据阵列包括以行和列排列的非易失性磁存储器数据单元(19)。数据阵列的各行与标记阵列的各行对应,而且每行数据阵列与和标记阵列的相应行相连的字线和数字线磁耦合。 |
申请公布号 |
CN1489768A |
申请公布日期 |
2004.04.14 |
申请号 |
CN02804398.7 |
申请日期 |
2002.01.11 |
申请人 |
摩托罗拉公司 |
发明人 |
彼得·K·纳吉 |
分类号 |
G11C15/02;G11C15/04;G06F12/10 |
主分类号 |
G11C15/02 |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
朱海波 |
主权项 |
1、一种非易失性、双稳态磁隧道结高速缓冲存储器,它包括:以行和列排列的非易失性磁存储器标记单元的高速缓存标记阵列,每行标记阵列分别包括与该行内的每个标记单元相连的字线和数字线;以及以行和列排列的非易失性磁存储器数据单元的高速缓存数据阵列,数据阵列的各行与标记阵列的各行对应,而且每行数据阵列与和标记阵列的每个相应行相连的字线以及数字线磁耦合。 |
地址 |
美国伊利诺斯 |