发明名称 薄膜晶体管结构及其制造方法和使用它的显示器件
摘要 本发明的课题是,提供能进行高精细显示而不产生信号延迟,并且能提供大型的显示画面的薄膜晶体管结构、薄膜晶体管结构的制造方法和包含该薄膜晶体管结构的显示器件。本发明是在基板100上形成至少形成了沟槽109的绝缘性聚合物膜101而成的薄膜晶体管结构,提供了在绝缘性聚合物膜101上形成的沟槽109容纳由多个导电层构成的栅布线110的薄膜晶体管结构。另外,本发明提供了包含具有上述结构的薄膜晶体管结构的制造方法,以及由上述结构的薄膜晶体管构成的TFT阵列的显示器件。
申请公布号 CN1489790A 申请公布日期 2004.04.14
申请号 CN01822723.6 申请日期 2001.12.18
申请人 国际商业机器公司 发明人 铃木浩;末冈邦昭
分类号 H01L29/786;H01L21/336;H01L21/3205;G02F1/1368;G09F9/30 主分类号 H01L29/786
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 刘宗杰;叶恺东
主权项 1.一种薄膜晶体管结构,它是在基板上形成源电极、漏电极、栅电极、有源层、与该栅电极连接的栅布线、以及至少形成了沟槽的绝缘性聚合物膜而成的薄膜晶体管结构,其特征在于:在上述绝缘性聚合物膜上形成的上述沟槽用自对准方式容纳了由导电层构成的上述栅布线。
地址 美国纽约州