| 发明名称 | 半导体激光装置和采用它的光盘设备 | ||
| 摘要 | 本发明的半导体激光装置包含有由n-型GaAS制成的基底(201)，活性层(204)，和一对夹住活性层(204)的包覆层。此装置还包含邻接活性层(204)的隔离层(205)和高度掺杂的可饱和吸收层(206)。通过对可饱和吸收层(206)作高度掺杂来缩短载流子寿命，借此即能获得稳定的自持脉动。结果，能得到在很宽的温度范围内具有很低相对噪声强度的半导体激光装置。 | ||
| 申请公布号 | CN1146091C | 申请公布日期 | 2004.04.14 |
| 申请号 | CN96192893.X | 申请日期 | 1996.03.27 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 足立秀人;上山智;木户口勲;上野山雄;万浓正也;福久敏哉 |
| 分类号 | H01S3/103;H01S3/19;H01S3/025;G11B7/09;G11B7/125;G11B7/135 | 主分类号 | H01S3/103 |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 韩宏 |
| 主权项 | 1.一种自持脉动式半导体激光装置，包括活性层和夹住此活性层的包覆结构，其中包覆结构包含以大于等于1×1018cm-3且小于等于2×1018cm-3的浓度掺杂以杂质的可饱和吸收层；和一个其带隙大于活性层和可饱和吸收层的带隙的隔离层，该隔离层位于活性层与可饱和吸收层之间；其中可饱和吸收层中的载流子寿命为6纳秒或更少。 | ||
| 地址 | 日本大阪 | ||