半导体器件的制造方法

摘要

在衬底上形成一个多晶硅层。在多晶硅层上形成绝缘层和栅电极。然后，通过用栅电极作掩膜将杂质掺入多晶硅层中以自对准方式形成沟道区，源区和漏区。然后，形成能量吸收层以覆盖整个衬底。从能量吸收层一侧辐射脉冲激光束。脉冲激光束的能量几乎全部吸收进能量吸收层，通过热辐射对下面的层面进行间接热处理。换句话说，对杂质进行激活并消除绝缘层中的缺陷，同时不会对衬底造成热损坏。

主权项

1、一种半导体器件的制造方法，其包括如下步骤：在衬底上形成一个半导体层；选择性地在半导体层上形成一个金属层，并在半导体层和金属层之间有一个绝缘层；用金属层作为掩膜选择性地将杂质掺入半导体层；形成一个能量吸收层以覆盖绝缘层和金属层；和从能量吸收层一侧辐射脉冲激光束来激活掺在半导体层中的杂质，其中能量吸收层由带隙等于或低于脉冲激光束的能量的材料形成。