发明名称 |
绝缘体上缓和SiGe层的制备 |
摘要 |
本发明公开了一种用于在绝缘体(74)的缓和SiGe(SGOI)上形成应变Si或应变SiGe的方法,在半导体衬底上生长缓变Si<SUB>1-x</SUB>Ge<SUB>x</SUB>层(20)和外延Si<SUB>1-y</SUB>Ge<SUB>y</SUB>层,在所述Si<SUB>1-y</SUB>Ge<SUB>y</SUB>层(30)中注入氢(70),以形成富氢缺陷层,通过化学机械抛光平滑表面,通过热处理将两个衬底粘结在一起,并在富氢缺陷层分离两个粘结的衬底。可以通过CMP对分离的衬底的上表面(75)进行平滑,该上表面用于外延淀积其它层。 |
申请公布号 |
CN1489786A |
申请公布日期 |
2004.04.14 |
申请号 |
CN01816500.1 |
申请日期 |
2001.09.27 |
申请人 |
国际商业机器公司 |
发明人 |
D·卡纳佩里;J·O·舒;C·德米科;黄丽娟;J·A·奥特;H-S·P·翁 |
分类号 |
H01L21/762;H01L21/20 |
主分类号 |
H01L21/762 |
代理机构 |
北京市中咨律师事务所 |
代理人 |
于静;李峥 |
主权项 |
1.一种制备绝缘体上的缓和SiGe层的方法,包括以下步骤:在第一单晶半导体衬底上形成缓变Si1-xGex外延层,在缓变Si1-xGex层上形成缓和Si1-yGey外延层,通过氢轰击在缓和Si1-yGey层中形成富氢缺陷层,在缓和Si1-yGey层的表面上提供绝缘层,在富氢缺陷层处分离缓和Si1-yGey层,以形成包含第一衬底、缓变Si1-xGex层和缓和Si1-yGey层的第一结构以及包含其表面上具有缓和Si1-yGey层的绝缘层的第二结构。 |
地址 |
美国纽约 |