发明名称 |
有源矩阵显示器 |
摘要 |
一种减小有源矩阵显示器的截止电流的结构。在有源矩阵显示器中,多个TFT与每一个象素电极串联连接。在这些串联的TFT中,除了位于相对两端的TFT以外,至少要将一个TFT保持在导通状态。另外,至少要将一个电容器连接在串联连接的每个TFT的源极和漏极的结合部与交流接地点之间。于是,减小了在TFT截止期间从附加电容器释放的电荷量。 |
申请公布号 |
CN1146056C |
申请公布日期 |
2004.04.14 |
申请号 |
CN95108515.8 |
申请日期 |
1995.06.01 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
竹村保彦;滨谷敏次;小沼利光;小山润;河崎祐司;张宏勇;山崎舜平 |
分类号 |
H01L29/04;H01L21/00;G09F9/33 |
主分类号 |
H01L29/04 |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
萧掬昌;马铁良 |
主权项 |
1.一种有源矩阵显示器,包括:按行和列排列的象素电极;半导体膜岛区,每一个所说岛区都为每一个所说象素电极而设,所说岛区具有N或P型区;以及在每一所说半导体膜岛区上设有并覆盖以阳极氧化膜的至少三个栅电极,以在所说每一个的半导体膜岛区上提供至少三个薄膜晶体管,所说三个薄膜晶体管相应具有三个栅电极,所说三个薄膜晶体管互相串联连接,以其中所说三个薄膜晶体管的两个薄膜晶体管的栅极和栅信号线连接,而所说三个薄膜晶体管中的其他薄膜晶体管的栅极和电容器线连接,其中,所说三个薄膜晶体管中其它薄膜晶体管的源和漏极之一和所说三个薄膜晶体管中二个薄膜晶体管之一的源和漏极之一相连接,所说其它薄膜晶体管的另一源和漏极之一和所说三个薄膜晶体管中二个薄膜晶体管的另一个的源和漏极之一连接,而所说三个薄膜晶体管中二个薄膜晶体管之一的其他源和漏极和图象信号线连接,所说三个薄膜晶体管中二个薄膜晶体管中的另一个的其他源和漏极则和相应的所说象素电极之一连接;以及其中和所说电容器线连接的所说栅极加以一信号,该信号至少在选择信号不加到栅信号线的主要时间里激励与所说电容器线相连接的所说栅极。 |
地址 |
日本神奈川县 |