| 发明名称 | 光电子材料、使用该材料的器件 | ||
| 摘要 | 一种光电子材料，它包括具有可控电学特性的均匀介质；以及分布于该介质中且平均微粒尺寸为100nm或更小的半导体特细微粒，本发明还涉及使用该材料的应用器件。本发明也涉及光电子材料的制造方法，通过用激光辐射置于处在低压惰性气体环境下的反应室中一种半导体材料的第一靶以及置于该反应室中具有可控电学特性的第二靶，在置于反应室中的衬底上，凝聚/生长从第一靶烧蚀的半导体材料，以集中成为平均微粒尺寸为100nm或更小的特细微粒。 | ||
| 申请公布号 | CN1146060C | 申请公布日期 | 2004.04.14 |
| 申请号 | CN97190741.2 | 申请日期 | 1997.05.26 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 山田由佳;吉田岳人;武山茂;松田祐二;武藤胜彦 |
| 分类号 | H01L33/00;H01L31/00 | 主分类号 | H01L33/00 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 洪玲 |
| 主权项 | 1.一种光电子材料，其特征在于包括：具有可控电学特性的均匀介质；以及分布于所述介质中的半导体特细微粒，其中所述特细微粒具有100nm或更小的平均微粒尺寸，且所述介质具有与所述半导体特细微粒的电阻率相同或更大的电阻率。 | ||
| 地址 | 日本国大阪府门真市 | ||