| 发明名称 | 电子束单元投影孔径生成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种电子束投影孔径生成方法，它包括：把聚焦的离子束施加到基片顶表面的步骤，以便蚀刻成可获得用于吸收或散射电子束的足够的薄膜厚度的深度以在所述顶表面形成所需要的图形的开口；以及把所述聚焦的离子束均匀地施加到除去其边缘部分的基片底表面的步骤，以便蚀刻至达到开口的深度。 | ||
| 申请公布号 | CN1146022C | 申请公布日期 | 2004.04.14 |
| 申请号 | CN99100842.1 | 申请日期 | 1999.02.25 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 山下浩 |
| 分类号 | H01L21/30;G03F1/16 | 主分类号 | H01L21/30 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 姜丽楼 |
| 主权项 | 1.一种电子束投影孔径生成方法，其特征在于，它包括：把聚焦的离子束施加到基片顶表面的步骤，以便蚀刻成可获得用于吸收或散射电子束的足够的薄膜厚度的深度以在所述顶表面形成想要的图形的开口；以及把所述聚焦的离子束均匀地施加到除去其边缘部分的所述基片底表面的步骤，以便蚀刻到达到所述开口的深度。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||