非易失性半导体存储器件

摘要

本发明的目的是，在一种如沟道热电子写类型的快速存储器的非易失性半导体存储器件中，减小写后阈值的漂移同时保持写电流检测类型写系统的高速特性。本发明的特点是提供一种具有写电流检测类型写电路和用于读的读出放大器，以及为了写时刻的校准，在由写电流检测类型写电路的校准与利用用于读的读出放大器常规读方式的校准之间的切换。

主权项

1.一种非易失性半导体存储器件，其中包括：一个非易失性半导体存储单元阵列，通过监视所述存储器单元阵列的一个存储器单元的写单元电流而实行写操作的同时执行阈值校准的写电流检测型写电路，监视所述存储器单元的当前电流的同时执行所述存储器单元的阈值校准的读出放大器，以及在所述写电流检测型写装置的阈值校准与所述读出放大器的阈值校准之间切换的控制电路。