半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及一种半导体器件及制造该半导体器件的方法。在半导体衬底上形成衬垫氧化膜和氮化硅膜。接着，在图案化氮化硅膜之后，通过腐蚀衬垫氧化膜和衬底，在第一区域中形成第一沟槽，在第二区域中形成第二沟槽。之后，在用抗蚀剂保护第二区域的同时，通过对第一区域衬垫氧化膜进行侧腐蚀，在衬底和氮化硅膜之间形成间隙。随后，第一和第二沟槽的内表面被氧化。此时，相对大量的氧化剂(氧气)被提供给第一沟槽的顶部边缘部分，衬底拐角的曲率增大。

主权项

1.一种半导体器件，包括：在半导体衬底的第一区域中形成的多个第一元件；在所述第一区域的所述第一元件之间形成的第一沟槽；包括填充所述第一沟槽的绝缘材料的第一元件隔离膜；在所述半导体衬底的第二区域中形成的多个第二元件，向其供给比所述第一元件高的电压；在所述第二区域的所述第二元件之间形成的第二沟槽；和包括填充所述第二沟槽的绝缘材料的第二元件隔离膜，其中，所述第二元件隔离膜顶部边缘部分和所述半导体衬底之间界面的曲率比所述第一元件隔离膜顶部边缘部分和所述半导体衬底之间界面的曲率大。