| 发明名称 | 二十硼烷注入方法和系统 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种将已电离的二十硼烷(B<SUB>20</SUB>H<SUB>X</SUB>)、三十硼烷(B<SUB>30</SUB>H<SUB>X</SUB>)和四十硼烷(B<SUB>40</SUB>H<SUB>X</SUB>)注入工件的方法，包括以下步骤：(i)使离子源(50)中的十硼烷汽化和电离以产生等离子体；(ii)通过源孔(126)引出等离子体内的已电离的二十硼烷、三十硼烷和四十硼烷，它们统称为“高次硼烷”，形成一个离子束；(iii)采用质量分析磁体(127)对离子束作质量分析，使已电离二十硼烷(B<SUB>20</SUB>H<SUB>X</SUB>)或其它高次硼烷中的一种通过；(iv)将已电离二十硼烷(B<SUB>20</SUB>H<SUB>X</SUB>)或一种其它高次硼烷注入工件。使十硼烷汽化和电离的步骤包括两个子步骤：(i)在汽化器(51)内使十硼烷汽化和(ii)在电离器(53)内电离已汽化的十硼烷。 | ||
| 申请公布号 | CN1489639A | 申请公布日期 | 2004.04.14 |
| 申请号 | CN01822666.3 | 申请日期 | 2001.12.11 |
| 申请人 | 艾克塞利斯技术公司 | 发明人 | A·S·佩雷尔 |
| 分类号 | C23C14/48;H01L21/265;H01J27/08 | 主分类号 | C23C14/48 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 肖春京 |
| 主权项 | 1.一种将电离的高次硼烷注入工件的方法，包括以下步骤：(i)使离子源(50)中的十硼烷汽化和电离，以产生等离子体；(ii)通过一源孔(126)引出等离子体中的已电离的高次硼烷，以形成一离子束；(iii)采用质量分析磁体(127)对离子束作质量分析，以使一种选定的已电离的高次硼烷通过；(iv)将选定的电离的高次硼烷注入工件内。 | ||
| 地址 | 美国马萨诸塞州 | ||