在掩模二氧化硅上钻孔的等离子蚀刻方法

摘要

本发明涉及一种等离子蚀刻方法，它在一掺杂或未掺杂二氧化硅膜上开一个约0.3μm或更小、具有较大纵横尺寸比的穿孔。该方法包括形成一个带窗孔的掩膜层的步骤和一个通过该窗孔采用在反应窒内的等离子和碳氟化合物蚀刻气体对二氧化硅膜进行选择性蚀刻的步骤。在选择性蚀刻的步骤中，需对蚀刻条件进行调节，使碳氟比例为1.1至1.8范围值的碳氟聚合物膜沉积在掩膜层上。掩膜厚度最好约为1μm，本方法宜用表面波等离子蚀刻仪来实现。

主权项

1、一种等离子蚀刻方法，它可以在一块掺杂或未掺杂二氧化硅膜上开一个大小为0.3μm或更小的穿孔，这个方法包括两个步骤，即在将被蚀刻的二氧化硅膜上制成一个带有窗孔的掩模层，以及使用基于碳氟化合物的蚀刻气体和反应室中的等离子通过所述掩模层的所述窗孔对所述二氧化硅膜进行选择性蚀刻，这样，就在所述二氧化硅膜上开了一个小穿孔，其特征在于所述二氧化硅进行选择性蚀刻的步骤中，要调节蚀刻条件，以使一个碳氟比率在1.1至1.8之间的碳氟聚合物膜沉积在所述掩模层上。