| 主权项 |
1.一种高密度积体化多光束光学模组,包括:一光学模组,包括于一导光基板上制作之一分光单元及一聚焦单元;一光源,恰可将发射之一光束馈入分光单元后,转换为复数个光束,复数个光束续经聚焦单元聚焦后,并于一储存媒体记录层成像为复数个聚焦光束,复数个聚焦光束可分别加热相对应之储存媒体记录层上复数个轨道;以及一读取头,系与光学模组整合为一体,可产生复数个磁场,当储存媒体记录层上复数个轨道加热至一预设温度后,再以对应之复数个磁场同时间分别予以磁性作用,复数个磁场所代表之资料可同时间磁性记录于对应之储存媒体记录层上复数个轨道与复数个磁场之复数个交会区域。2.如申请专利范围第1项之高密度积体化多光束光学模组,其中光源可整合于导光基板上。3.如申请专利范围第1项之高密度积体化多光束光学模组,更包含设于分光单元及聚焦单元间之一准直透镜及一高NA値物镜中之至少一者。4.如申请专利范围第1项或第3项之高密度积体化多光束光学模组,其中分光单元、准直透镜、高NA値物镜及聚焦单元皆可以二维式之积体化制程技术制作,且可将光学模拟结果直接制作于一光罩上形成一二维图案,并经由光学微影与蚀刻制程将分光单元、准直透镜、高NA値物镜及聚焦单元制作于导光基板上。5.如申请专利范围第1项之高密度积体化多光束光学模组,其中聚焦单元系具有高NA値之一球面透镜及一非球面透镜中之至少一者。6.如申请专利范围第1项或第3项之高密度积体化多光束光学模组,更可利用如硬碟机磁头高速飞行时产生之一气隙,以其聚焦单元贴近储存媒体记录层约200奈米以内的一间距承载飞行。7.如申请专利范围第1项之高密度积体化多光束光学模组,其中预设温度可为介质之居里温度。8.如申请专利范围第1项之高密度积体化多光束光学模组,其中加热之复数个轨道可为复数个相邻轨道及复数个不相邻轨道中之至少一者。9.如申请专利范围第1项之高密度积体化多光束光学模组,其中分光单元可为一周期性及一非周期性之绕射光学元件。10.如申请专利范围第1项之高密度积体化多光束光学模组,其中光学模组系可于导光基板上以微机电及半导体制程技术中之至少一者制作者。11.如申请专利范围第1项之高密度积体化多光束光学模组,其中聚焦单元可为一固态沉浸透镜、一透镜组及一高NA値物镜组中之至少一者。12.如申请专利范围第11项之高密度积体化多光束光学模组,其中固态沉浸透镜、透镜组及高NA値物镜组中皆可产生近场光学效应。13.如申请专利范围第1项之高密度积体化多光束光学模组,其中光源可为如雷射光源之一单波长光源。14.如申请专利范围第1项之高密度积体化多光束光学模组,其中分光单元可为一复数阶光栅。15.一种高密度积体化多光束光学模组,包括:一光学模组,包括于一导光基板上以微机电制程技术制作之一分光单元及复数个聚焦单元;一光源,恰可将发射之一光束馈入分光单元后,转换为复数个光束,复数个光束分别经对应之复数个聚焦单元聚焦后,并于储存媒体记录层成像为复数个聚焦光束,复数个聚焦光束可分别加热相对应之储存媒体记录层上复数个轨道;以及一读取头,系与光学模组整合为一体,可产生复数个磁场,当储存媒体记录层上复数个轨道加热至一预设温度后,再以对应之复数个磁场同时间分别予以磁性作用,复数个磁场所代表之资料可同时间磁性记录于对应之储存媒体记录层上复数个轨道与复数个磁场之复数个交会区域。16.如申请专利范围第15项之高密度积体化多光束光学模组,其中光源可整合于导光基板上。17.如申请专利范围第15项之高密度积体化多光束光学模组,更包含设于分光单元及聚焦单元间分别对应于复数个光束之复数个相位补偿准直透镜及复数个高NA値物镜中之至少一者。18.如申请专利范围第15项或第17项之高密度积体化多光束光学模组,其中分光单元、复数个相位补偿准直透镜、复数个高NA値物镜及复数个聚焦单元皆可以二维式之积体化制程技术制作,且可将光学模拟结果直接制作于一光罩上形成一二维图案,并经由光学微影与蚀刻制程将分光单元、复数个相位补偿准直透镜、复数个高NA値物镜及复数个聚焦单元制作于导光基板上。19.如申请专利范围第15项之高密度积体化多光束光学模组,其中复数个聚焦单元系具有高NA値之复数个球面透镜及复数个非球面透镜中之至少一者。20.如申请专利范围第15项或第17项之高密度积体化多光束光学模组,更可利用如硬碟机磁头高速飞行时产生之一气隙,以其聚焦单元贴近储存媒体记录层约200奈米以内的一间距承载飞行。21.如申请专利范围第15项之高密度积体化多光束光学模组,其中预设温度可为介质之居里温度。22.如申请专利范围第15项之高密度积体化多光束光学模组,其中加热之复数个轨道可为复数个相邻轨道及复数个不相邻轨道中之至少一者。23.如申请专利范围第15项之高密度积体化多光束光学模组,其中分光单元可为一周期性及一非周期性之绕射光学元件。24.如申请专利范围第15项之高密度积体化多光束光学模组,其中光学模组系可于导光基板上以微机电及半导体制程技术中之至少一者制作者。25.如申请专利范围第15项之高密度积体化多光束光学模组,其中复数个聚焦单元可为复数个固态沉浸透镜、透镜组及高NA値物镜组中之至少一者。26.如申请专利范围第15项之高密度积体化多光束光学模组,其中复数个固态沉浸透镜、透镜组及高NA値物镜组皆可产生近场光学效应。27.如申请专利范围第15项之高密度积体化多光束光学模组,其中光源可为如雷射光源之一单波长光源。28.如申请专利范围第15项之高密度积体化多光束光学模组,其中分光单元可为一复数阶光栅。29.如申请专利范围第15项或第17项之高密度积体化多光束光学模组,其中分光单元、复数个相位补偿准直透镜可为折射式光学元件及绕射式光学元件中之至少一者,且具有修正离轴光所引入像差之功能。图式简单说明:图一系习用技术固态沉浸透镜示意图。图二系习用技术固态沉浸透镜结合飞行头示意图。图三A及图三B分别系习用技术波导复合式先进微机电光学模组及其近场复合式记录方式示意图。图四系习用技术二维架构波导复合式先进微机电光学模组示意图。图五A及图五B分别系习用技术多光束存取装置及同时聚焦于碟片相邻轨道之复数个聚焦光点示意图。图六A及图六B分别系本创作第一较佳实施例高密度积体化多光束光学模组及其于复数个轨道上记录之示意图。图六C及图六D,其分别系本创作第一较佳实施例多光束光学模组及多光束光栅之示意图。图七系本创作第二较佳实施例多光束光学模组示意图。 |
