| 主权项 |
1.一种液晶显示器画素结构的形成方法,包括下列步骤:提供一基板;形成相互分离且平行之一第一图案化导体结构、一第一导线、一第二导线于该基板上,该第一图案化导体结构系位于该第一导线与该二导线之间,其中该第一导线于面对该第一图案化导体结构一侧系有一既定部份;全面性地形成一第一介电层于该基板上;形成一第二图案化导体结构、一第三图案化导体结构、一第三导线与一第四导线于该第一介电层上方,其中于该基板上、该第三导线与该第四导线系相互平行且分别正交于该第一导线、该二导线与该第一图案化导体结构,以及其中该第二图案化导体结构与该第三图案化导体结构系相互分离地介于该第三导线与该第四导线之间,并且部份位于该既定部份上方,以及该第四导线系与该第三图案化导体结构电性连接;全面性地形成一第二介电层于该第一介电层上;形成一接触孔于该第二介电层中,并且露出部份该第二图案化导体结构;以及形成一第四图案化导体结构在该第二介电层上,其中该第四图案化导体结构并填入该接触孔,该第四图案化导体结构系位于部分该第一图案化导体结构上方,并位于部份该第二导线与部分该第二图案化导体结构上方。2.如申请专利范围第1项所述之液晶显示器画素结构的形成方法,其中该基板系为一透明基板。3.如申请专利范围第2项所述之液晶显示器画素结构的形成方法,其中该第一图案化导体结构系由一透明导电材料所形成。4.如申请专利范围第3项所述之液晶显示器画素结构的形成方法,其中该透明导电材料系为一铟锡氧化物。5.如申请专利范围第1项所述之液晶显示器画素结构的形成方法,其中于该基板上,该第一图案化导体结构、该第三导线与该第四导线系成一H字型。6.如申请专利范围第1项所述之液晶显示器画素结构的形成方法,其中该第一导线与该第二导线系由一不透明导体材料所形成。7.如申请专利范围第1项所述之液晶显示器画素结构的形成方法,其中该既定部份系为一突出部份。8.如申请专利范围第1项所述之液晶显示器画素结构的形成方法,其中于形成该第一介电层之后,更包括下列步骤:先形成一第一附加介电层结构在该既定部份上方;及再形成该第二图案化导体结构、该第三图案化导体结构、该第三导线与该第四导线。9.如申请专利范围第8项所述之液晶显示器画素结构的形成方法,其中至少部份该第二导体结构与部份该第三导体结构系形成于该第一附加介电层上方。10.如申请专利范围第8项所述之液晶显示器画素结构的形成方法,其中该第一附加介电层结构系由氮化矽所形成。11.如申请专利范围第1项所述之液晶显示器画素结构的形成方法,其中于该第一介电层形成后更包括下列步骤:先形成一第二附加介电层结构与一第三附加介电层结构于该第一图案化导体结构上方;及再形成该第二图案化导体结构、该第三图案化导体结构、该第三导线与该第四导线。12.如申请专利范围第11项所述之液晶显示器画素结构的形成方法,其中该第二附加介电层结构系形成于该第一图案化导体结构被该第三导线所覆盖部份的上方。13.如申请专利范围第11项所述之液晶显示器画素结构的形成方法,其中该第三附加介电层结构系形成于该第一图案化导体结构被该第四导线所覆盖部份的上方。14.如申请专利范围第11项所述之液晶显示器画素结构的形成方法,其中该第二附加介电层结构与该第三附加介电层结构系由氮化矽所形成。15.一种液晶显示器画素结构,包含:一第一图案化结构;一第一导线与一第二导线,与该第一图案化结构相互分离且平行,该第一图案化导体结构系位于该第一导线与该二导线之间,其中该第一导线于面对该第一图案化导体结构一侧系有一既定部份;一第一介电层覆盖该第一图案化导体结构、该第一导线与该第二导线;一第三导线与一第四导线于该第一介电层上方,其中于该基板上、该第三导线与该第四导线系相互平行且分别正交于该第一导线、该二导线与该第一图案化导体结构;一第二图案化导体结构与一第三图案化导体结构于该第一介电层上方,其中该第二图案化导体结构与该第三图案化导体结构系相互分离地介于该第三导线与该第四导线之间,并且部份位于该既定部份上方,以及该第四导线系与该第三图案化导体结构电性连接;一第二介电层于该第一介电层上方,并且覆盖该第二图案化导体结构、该第三图案化导体结构、该第三导线与该第四导线;一接触孔于该第二介电层中,并连接至部份该第二图案化导体结构;以及一第四图案化导体结构于该第二介电层上方,并且位于该第一图案化导体结构、部份该第二导线与部分该第二图案化导体结构三者的上方。16.如申请专利范围第15项所述之液晶显示器画素结构其中该基板系为一透明基板。17.如申请专利范围第15项所述之液晶显示器画素结构,其中其中于该基板上,该第一图案化导体结构、该第三导线与该第四导线系成一H字型。18.如申请专利范围第15项所述之液晶显示器画素结构,其中该第一图案化导体结构系由一透明导电材料所形成。19.如申请专利范围第18项所述之液晶显示器画素结构,其中该透明导电材料系为铟锡氧化物。20.如申请专利范围第18项所述之液晶显示器画素结构,其中该第一导线与该第二导线系由一不透明导体材料所形成。21.如申请专利范围第15项所述之液晶显示器画素结构,其中该既定部份系为该第一导线面对该第一图案化导体结构之一突出部份。22.如申请专利范围第15项所述之液晶显示器画素结构,其中包含一第一附加介电层结构于该第一介电层上方且于该既定部份之上方。23.如申请专利范围第22项所述之液晶显示器画素结构,其中至少部份该第二导体结构与部份该第三导体结构系位于该第一附加介电层上方。24.如申请专利范围第22项所述之液晶显示器画素结构,其中该第一附加介电层结构系由氮化矽所形成。25.如申请专利范围第15项所述之液晶显示器画素结构,其中包含一第二附加介电层结构与一第三附加介电层于该第一介电层以及该第一图案化导体结构二者上方。26.如申请专利范围第25项所述之液晶显示器画素结构,其中该第二附加介电层结构系位于该第一图案化导体结构被该第三导线所覆盖部份的上方。27.如申请专利范围第25项所述之液晶显示器画素结构,其中该第三附加介电层结构系位于该第一图案化导体结构被该第四导线所覆盖部份的上方。28.如申请专利范围第25项所述之液晶显示器画素结构,其中该第二附加介电层结构与该第三附加介电层结构皆系由氮化矽等所形成。29.如申请专利范围第15项所述之液晶显示器画素结构,其中该接触孔系由该第四图案化导体结构填入位于该第二介电层中之一接触孔所形成。图式简单说明:第一A图至第一E图为习知技术之主动矩阵、画素、具储存电容之画素、具配置于闸极导线上之储存电容之画素、以及具配置于共同配线上之储存电容之画素等的基本构造示意图;第二A图至第二E图为本发明所提出画素之构造的基本示意图;以及第三A图至第三K图为本发明所提出形成画素方法之的基本示意图。 |
