| 主权项 |
1.一种液晶显示装置,包括:第一基板,呈矩阵状地配置像素电极;第二基板,形成透明电极;带状突起,形成在前述第一基板或前述第二基板中之某一者上;缝隙,形成在前述第一基板或前述第二基板中之另外一者上同时对应于前述突起所形成;配向膜,层积在前述两个基板上且施加垂直配向处理;以及液晶层,夹住于前述两个基板间且介电系数异方性呈负値,且在并无施加电场至前述液晶层时,液晶分子系呈垂直地配列,在施加电场至前述液晶层时,沿着藉由前述缝隙和前述突起所限制之方向,使得液晶分子呈倾斜地进行配列,其特征在于:前述缝隙系沿着大概平行于前述突起所存在之延长方向而设置,同时,在前述缝隙之轮廓中,面对着突起之部分系沿着对于前述缝隙之延长部分仅偏离修正用角度份量之方向而形成。2.一种液晶显示装置,包括:第一基板,呈矩阵状地配置像素电极;第二基板,形成透明电极;带状突起,形成在前述第一基板或前述第二基板中之某一者上;缝隙,形成在前述第一基板或前述第二基板中之另外一者上同时对应于前述突起所形成;配向膜,层积在前述两个基板上且施加垂直配向处理;以及液晶层,夹住于前述两个基板间且介电系数异方性呈负値,且在并无施加电场至前述液晶层时,液晶分子系呈垂直地配列,在施加电场至前述液晶层时,沿着藉由前述缝隙和前述突起所限制之方向,使得液晶分子呈倾斜地进行配列,其特征在于:前述缝隙系沿着大概平行于前述突起所存在之延长方向而设置,同时,在前述突起之轮廓中,面对着前述缝隙之部分系沿着对于前述突起之延长部分仅偏离修正用角度份量之方向而形成。3.一种液晶显示装置,包括:第一基板,呈矩阵状地配置像素电极;第二基板,形成透明电极;带状突起,形成在前述第一基板或前述第二基板中之某一者上;缝隙,形成在前述第一基板或前述第二基板中之另外一者上同时对应于前述突起所形成;配向膜,层积在前述两个基板上且施加垂直配向处理;以及液晶层,夹住于前述两个基板间且介电系数异方性呈负値,且在并无施加电场至前述液晶层时,液晶分子系呈垂直地配列,在施加电场至前述液晶层时,沿着藉由前述缝隙和前述突起所限制之方向,使得液晶分子呈倾斜地进行配列,其特征在于:前述缝隙系沿着大概平行于前述突起所存在之延长方向而设置,同时,在前述缝隙之轮廓中,面对着前述突起之部分系沿着对于前述缝隙之延长部分仅偏离第1修正用角度份量之方向而形成,并且,在前述突起之轮廓中,面对着前述缝隙之部分系沿着对于前述突起之延长部分仅偏离第2修正用角度份量之方向而形成。4.如申请专利范围第3项之液晶显示装置,其中,前述第1修正用角度和前述第2修正用角度,系相同之角度。5.一种液晶显示装置,包括:第一基板,呈矩阵状地配置像素电极;第二基板,形成透明电极;带状突起,形成在前述第一基板或前述第二基板中之某一者上;缝隙,形成在前述第一基板或前述第二基板中之另外一者上同时对应于前述突起所形成;配向膜,层积在前述两个基板上且施加垂直配向处理;以及液晶层,夹住于前述两个基板间且介电系数异方性呈负値,且在并无施加电场至前述液晶层时,液晶分子系呈垂直地配列,在施加电场至前述液晶层时,沿着藉由前述缝隙和前述突起所限制之方向,使得液晶分子呈倾斜地进行配列,其特征在于:在前述像素电极之边缘部,设置用以缓和由前述边缘部施加至液晶分子之电场之影响之缓和用装置。6.如申请专利范围第5项之液晶显示装置,其中,作为前述缓和用装置,系在像素电极之边缘部,形成锯齿状部分。7.如申请专利范围第5项之液晶显示装置,其中,作为前述缓和用装置,系至少使得前述像素电极之长边方向之边缘部,成为锯齿状。8.如申请专利范围第5项之液晶显示装置,其中,作为前述缓和用装置,系在像素电极之边缘部,形成复数个之针孔。9.如申请专利范围第5项之液晶显示装置,其中,作为前述缓和用装置,系在像素电极之边缘部,形成第2缝隙。10.如申请专利范围第5项之液晶显示装置,其中,作为前述缓和用装置,系在像素电极之边缘部,形成第2缝隙,并且,在前述第二基板上,形成对应于前述第2缝隙之第2突起,此外,前述第2突起,系在由前述第二基板之法线方向观察时,大概平行于相邻接之第2缝隙,同时,位处在前述像素电极之边缘部附近。11.如申请专利范围第5项之液晶显示装置,其中,在由前述第二基板之法线方向观察时,前述缓和用装置系配置在前述突起和前述缝隙间。12.如申请专利范围第5项之液晶显示装置,其中,前述缝隙系沿着大概平行于前述突起所存在之延长方向而设置,同时,在前述缝隙之轮廓中,面对着突起之部分系沿着对于前述缝隙之延长部分仅偏离修正用角度份量之方向而形成。13.如申请专利范围第5项之液晶显示装置,其中,前述缝隙系沿着大概平行于前述突起所存在之延长方向而设置,同时,在前述突起之轮廓中,面对着前述缝隙之部分系沿着对于前述突起之延长部分仅偏离修正用角度份量之方向而形成。14.如申请专利范围第1.2.3或5项之液晶显示装置,其中,前述缝隙系形成在前述像素电极上,同时,前述突起系形成在前述第二基板上。15.如申请专利范围第1.2.3或5项之液晶显示装置,其中,前述修正用角度系设定为3-15左右。16.如申请专利范围第1.2.3或5项之液晶显示装置,其中,前述缝隙、其幅宽系形成为像素电极之边缘附近更加狭窄于像素电极之中央部附近。17.如申请专利范围第1.2.3或5项之液晶显示装置,其中,前述突起、其幅宽系形成为像素电极之边缘附近更加狭窄于像素电极之中央部附近。18.如申请专利范围第1.2.3或5项之液晶显示装置,其中,具有配置在前述第一基板外侧之第一偏光板和配置在前述第二基板外侧之第二偏光板,呈相互直交地配置两个偏光板之透过轴,使得其中某一边之偏光板之透过轴和前述缝隙之延长方向,成为40-50左右。19.如申请专利范围第1.2.3或5项之液晶显示装置,其中,具有配置在前述第一基板外侧之第一偏光板和配置在前述第二基板外侧之第二偏光板,呈相互直交地配置两个偏光板之透过轴,使得其中某一边之偏光板之透过轴和前述突起之延长方向,成为40-50左右。20.一种液晶显示装置,包括:第一基板,呈矩阵状地配置像素电极;缝隙,形成在前述像素电极上;带状突起,形成透明电极之第二基板、对应于前述缝隙而形成在前述第二基板上;配向膜,层积在前述两个基板上且施加垂直配向处理;液晶层,夹住于前述两个基板间且介电系数异方性呈负値;第一偏光板,配置在前述第一基板外侧;以及第二偏光板,配置在前述第二基板外侧同时具有与前述第一偏光板之透过轴呈垂直关系之透过轴,且在并无施加电场至前述液晶层时,液晶分子系呈垂直地配列,在施加电场至前述液晶层时,沿着藉由前述缝隙和前述突起所限制之方向,使得液晶分子呈倾斜地进行配列,其特征在于:在前述缝隙之轮廓中,面对着突起之部分系由对于其中某一边之偏光板之透过轴呈45方向开始,沿着仅偏离修正用角度份量之方向而形成。21.一种液晶显示装置,包括:第一基板,呈矩阵状地配置像素电极;缝隙,形成在前述像素电极上;带状突起,形成透明电极之第二基板、对应于前述缝隙而形成在前述第二基板上;配向膜,层积在前述两个基板上且施加垂直配向处理;液晶层,夹住于前述两个基板间且介电系数异方性呈负値;第一偏光板,配置在前述第一基板外侧;以及第二偏光板,配置在前述第二基板外侧同时具有与前述第一偏光板之透过轴呈垂直关系之透过轴,且在并无施加电场至前述液晶层时,液晶分子系呈垂直地配列,在施加电场至前述液晶层时,沿着藉由前述缝隙和前述突起所限制之方向,使得液晶分子呈倾斜地进行配列,其特征在于:在前述突起之轮廓中,面对着缝隙之部分系由对于其中某一边之偏光板之透过轴呈45方向开始,沿着仅偏离修正用角度份量之方向而形成。22.如申请专利范围第20或21项之液晶显示装置,其中,前述修正用角度系设定为3-15左右。23.如申请专利范围第1.2.3.5.20或21项之液晶显示装置,其中,前述突起系涵盖复数个像素而形成为锯齿状。24.如申请专利范围第1.2.3.5.20或21项之液晶显示装置,其中,在前述第二基板上,设置沿着像素电极之边缘部所配置之辅助用突起。25.如申请专利范围第1.2.3.5.20或21项之液晶显示装置,其中,在前述第二基板上,设置沿着像素电极之边缘部所配置之辅助用突起,并且,沿着前述像素电极之长边方向之边缘部之2/3以上,配置前述辅助用突起。26.如申请专利范围第1.2.3.5.20或21项之液晶显示装置,其中突起系由正型材料所形成。27.一种液晶显示装置,包括:第一基板,呈矩阵状地配置复数个之扫描线和复数个之讯号线;转换(switching)元件,配置在前述扫描线和前述讯号线之交差部上;像素电极,设置在藉由前述扫描线和前述讯号线所包围之部分同时连接在前述转换元件上;第二基板,呈对向地配置在前述第一基板上同时对应于前述像素电极而配置彩色滤光片;以及液晶,密封在前述第一基板和前述第二基板间,其特征在于:呈凹凸状地形成面对着前述讯号线之像素电极之边缘部之至少一部分,在前述讯号线之轮廓中,使得前述像素电极部位之轮廓,成为沿着前述像素电极之边缘部之形状。28.如申请专利范围第27项之液晶显示装置,其中,涵盖前述像素电极之长边方向,使得前述像素电极之边缘部和前述讯号线之轮廓,系位处在大概相等之间隔上。29.如申请专利范围第27项之液晶显示装置,其中,在由前述第一基板之法线方向而进行观察时,前述像素电极之边缘部和前述讯号线系重叠在一起。30.如申请专利范围第27项之液晶显示装置,其中,前述像素电极之凹凸状部分系成为锯齿状。31.如申请专利范围第27项之液晶显示装置,其中,在前述第二基板,形成复数个之带状突起,在前述像素电极,形成位处在大概平行于前述突起之位置上之缝隙,在前述第一基板和前述第二基板间,夹住介电系数异方性呈负値之液晶层,由前述第一基板之法线方向观察时,前述像素电极之凹凸状部分系形成为位处在前述突起和前述缝隙间。32.一种液晶显示装置,包括:第一基板,呈矩阵状地配置像素电极;第二基板,形成透明电极;带状突起,形成在前述第二基板上同时由前述第二基板之法线方向观察时而对于前述像素电极之边缘部沿着倾斜方向呈交差;缝隙,形成在前述像素电极上同时对于相邻接之突起呈平行地配置;配向膜,层积在前述两个基板上且施加垂直配向处理;以及液晶层,夹住于前述两个基板间且介电系数异方性呈负値,且在并无施加电场至前述液晶层时,液晶分子系呈垂直地配列,在施加电场至前述液晶层时,沿着藉由前述缝隙和前述突起所限制之方向,使得液晶分子呈倾斜地进行配列,其特征在于:呈锯齿状地形成像素电极之边缘部之一部分,前述锯齿状部分系设置在位处于前述突起和前述缝隙间并且相接近之前述缝隙和边缘部间之所形成之角度为90以下之部分上。33.如申请专利范围第32项之液晶显示装置,其中,在前述第二基板上,于面对着前述像素电极之锯齿状部分之位置上,形成辅助用突起。34.如申请专利范围第32项之液晶显示装置,其中,前述缝隙之延长方向和前述像素电极之边缘部,系以40-50而进行交差。35.如申请专利范围第32项之液晶显示装置,其中,具有配置在前述第一基板外侧之第一偏光板和配置在前述第二基板外侧之第二偏光板,呈相互直交地配置两个偏光板之透过轴,由前述第二基板之法线方向观察时,使得其中某一边之偏光板之透过轴和前述缝隙之延长方向,成为40-50左右。36.如申请专利范围第32项之液晶显示装置,其中,在复数个之突起中,一部分之突起,系在像素内,弯曲为直角。37.如申请专利范围第1.2.3.5.20.21.31或32项之液晶显示装置,其中,前述突起之高度系为1.5m以上。38.如申请专利范围第1.2.3.5.20.21.27或32项之液晶显示装置,其中,前述第一基板和前述第二基板之间隔,系为3.0-3.5m。图式简单说明:图1系第1实施例之像素部之俯视图。图2系沿着图1之A-A'线之剖面图。图3系呈示意地显示第2实施例之像素电极和突起之位置关系之俯视图。图4系呈示意地显示第3实施例之像素电极和突起之位置关系之俯视图。图5系呈示意地显示第4实施例之像素电极和突起之位置关系之俯视图。图6系呈示意地显示第5实施例之像素电极和突起之位置关系之俯视图。图7系呈示意地显示第6实施例之像素电极和突起之位置关系之俯视图。图8系呈示意地显示第7实施例之像素电极和突起之位置关系之俯视图。图9系呈示意地显示第8实施例之像素电极和突起之位置关系之俯视图。图10系呈示意地显示第9实施例之像素电极和突起之位置关系之俯视图。图11系呈示意地显示第10实施例之像素电极和突起之位置关系之俯视图。图12系沿着图11之B-B'线之剖面图。图13系显示第10实施例之突起和像素电极之缝隙之关系之示意图。图14系第10实施例之锯齿状部分之边缘部之要部扩大图。图15系显示第10实施例之锯齿状部分之边缘部和突起之位置关系之要部扩大图。图16系显示习知之MVA型液晶显示装置之像素构造之图式。图17系呈示意地显示习知之像素构造中之液晶分子之倾斜状态之图式。 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