| 主权项 |
1.一种制造电容器之方法,包括:提供一初结构具有一基板(210)及至少一介电层(224.226),其中该基板(210)的一第一区及一第二区由一绝缘结构隔开;配置一导电层(228)位于该第一及第二区上的至少一介电层(224.226)上面;配置一遮罩层(230)在该导电层(228)上及形成用于产生一第一遮罩(230)在该第一区上面之相同的结构;利用该遮罩蚀刻该导电层(228)及至少一第二区的至少一介电层(226);及完成一主动装置于该第二区内。2.如申请专利范围第1项之方法,其中配置的该导电层(228)的一厚度为80至120nm。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该导电层(228)包括一多片层,其包括数片不同材料。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该导电层(228)包括一掺杂多晶矽层或一金属层。5.如申请专利范围第4项之方法,其中配置该导电层(228)的该步骤包括:配置一未掺杂多晶矽层及掺杂该配置的多晶矽层。6.如申请专利范围第1项之方法,其中该初结构包括一第一(224)及一第二(226)介电层,其中利用该第一遮罩(230)蚀刻至少一第二区的至少一介电层(226)的该步骤包括利用该第一遮罩(230)及使用该第一介电层(224)作为阻挡该蚀刻以蚀刻该第二区的该第二介电层(226)的步骤。7.如申请专利范围第6项之方法,其在介于蚀刻至少一至少导电层(228)的步骤及完成该主动装置的步骤之间,包括下列步骤:移除该第一遮罩(230);及使用该导电层(228)蚀刻该第一区的该第一介电层(224)。8.如申请专利范围第6项之方法,其中该第一介电层(224)包括Si3N4,且该第二介电层(226)包括SiO2。9.如申请专利范围第1项之方法,进一步在介于蚀刻该导电层(228)的步骤及完成一主动装置的步骤之间,包括下列步骤:产生一接触结构(246.252a-d;256.266a-d;284.290a-d)位于该导电层上面。10.如申请专利范围第9项之方法,其中产生一接触结构于该导电层上面的该步骤包括下列步骤:产生一金属矽化物层(246;256;284);及产生接触孔(252a-d:266a-d;290a-d)位于金属矽化物层(246;256;284)中。11.如申请专利范围第1项之方法,进一步在介于蚀刻该导电层(228)的步骤及完成该主动装置步骤之间包括下列步骤,其中该主动装置为一双极电晶体:配置一多晶矽层(240)于该第一及第二区;及配置一另外遮罩层于多晶矽层(240)上面及形成用于定义一另外在该第一区上面的遮罩及该双极电晶体的一基极区内的一遮罩之相同结构;蚀刻该未遮蔽区域。12.如申请专利范围第1项之方法,进一步在介于蚀刻该导电层的步骤及完成该主动装置步骤之间包括下列步骤,其中该主动装置为一双极电晶体:配置一第二遮罩层及形成相同结构,其用于定义该第一区内的一第一窗,该窗部份伸长超过该导电层(228),及一第二窗位于该双极电晶体的一射极区内;利用该第二遮蔽层部份蚀刻该导电层(228)及该射极区;配置一多晶矽层(276);配置一第三遮罩层及形成大部份用于产生一另外遮罩在该第一区及该射极上面之相同结构;及蚀刻该未遮蔽多晶矽层(276)。13.如申请专利范围第12项之方法,其中配置的该导电层(228)的一厚度为170至200nm。图式简单说明:图1为一已知积体电容器的断面图;图2为图1电容器的电容曲线,作为施加电压的函数;图3至17为断面示意图,用于显示根据本发明第一具体实施例的生产电容器方法的步骤;图18至19为断面示意图,用于显示根据本发明第二具体实施例的生产电容器方法的步骤;及图20至23为断面示意图,用于显示根据本发明第三具体实施例的生产电容器方法的步骤。 |
