| 主权项 |
1.一种萤光面之形成方法,其特征为包含:至少使用积层第1萤光体层之第1转印用薄膜,利用转印法形成第1萤光体部之第1工程、和至少使用积层第2萤光体层之第2转印用薄膜,在与设有前述第1萤光体层之范围不同的范围,利用转印法形成第2萤光体部之第2工程。2.如申请专利范围第1项所述之萤光面之形成方法,其中,于前述第1转印用薄膜更积层导电层,于前述第1工程中,将前述导电层转印到前述第1萤光体部及前述第2萤光体部的形成区域之同时,将前述第1萤光体层转印到前述第1萤光体部的形成区域,于前述第2工程中,将前述第2萤光体层,以全体重叠在经由前述第1工程所转印的导电层之上地,转印到前述第2萤光体部的形成区域。3.如申请专利范围第1项所述之萤光面之形成方法,其中,于前述第1转印用薄膜更积层第1导电层的同时。也在前述第2转印用薄膜更积层第2导电层,于前述第1工程中,将前述第1导电层转印到前述第1萤光体部及前述第2萤光体部的形成区域之同时,将前述第1萤光体层转印到前述第1萤光体部的形成区域,于前述第2工程中,将前述第2萤光体层及前述第2导电层,以全体重叠在经由前述第1工程所转印的第1导电层之上地,转印到前述第2萤光体部的形成区域。4.如申请专利范围第1项所述之萤光面之形成方法,其中,于前述第1转印用薄膜更积层第1导电层的同时,也在前述第2转印用薄膜更积层第2导电层,于前述第1工程中,将前述第1导电层转印到前述第1萤光体部及前述第2萤光体部的形成区域之同时,将前述第1萤光体层转印到前述第1萤光体部的形成区域,于前述第2工程中,将前述第2萤光体层及前述第2导电层,以全体重叠在经由前述第1工程所转印的第1导电层之上地,转印到前述第2萤光体部的形成区域。图式简单说明:第1图系表示使用有关本发明之第1实施形态的萤光面之形成方法所制造的扁平型阴极线管之要部构成之断面图。第2图系表示由正面(前面板侧)观看第2图所示的扁平型阴极线管之状态的正面图。第3图系表示于有关本发明之第1实施形态的萤光面之形成方法中所使用的第1及第2转印用薄膜之构成的正面图。第4图系表示第3图所示之第1及第2转印用薄膜的断面构造之断面图。第5图系说明使用第3图及第4图所示的第1转印用薄膜之转印工程的断面图。第6图系说明使用第3图及第4图所示的第2转印用薄膜之转印工程的断面图。第7图系表示使用有关本发明之第1实施形态的萤光面之形成方法所制造的扁平型阴极线管之萤光面之构造的正面图。第8图系说明包含有关本发明之第1实施形态的萤光面之形成方法的扁平型阴极线管之制造工程之流程图。第9图系表示针对有关本发明之第2实施形态的萤光面之形成方法所使用的第1及第2转印用薄膜之构成的正面图。第10图系表示第9图所示之第1及第2转印用薄膜的断面构造之断面图。第11图系说明使用第9图及第10图所示的第2转印用薄膜之转印工程之断面图。第12图系表示针对有关本发明之第3实施形态的萤光面之形成方法所使用的第1及第2转印用薄膜之构成的正面图。第13图系说明包含有关本发明之第3实施形态的萤光面之形成方法的扁平型阴极线管之制造工程的流程图。第14图系针对阴极线管之显示方式所示之说明图,(A)系表示只可黑白视讯显示之习知扁平型阴极线管,(B)系表示即使为黑白视讯显示方式也可部分性地进行图像状之彩色显示的扁平型阴极线管。第15图系针对有关本发明之参考例之萤光面之形成方法所使用的电镀沈积装置之构成图。第16图系表示使用有关本发明之参考例的萤光面之形成方法所制造的萤光面之萤光体的电镀沈积前之构造的正面图。第17图系表示使用有关本发明之参考例的萤光面之形成方法所制造的扁平型阴极线管之萤光面构造之正面图。 |
