发明名称 照明光学系统、曝光装置以及微元件之制造方法
摘要 主要为提供一种无需变化聚光镜的失真,能够无阶段地调整照度分布的二次成份的照明光学系统及具备该照明光学系统的曝光装置。其手段为,在曝光光源1射出的曝光IL的光路上,横切光轴IAX之方向设置至少两枚滤光部材14a、14b,该滤光部材14a、14b的透过率分布可用含有三阶以上的函数表示。
申请公布号 TW583720 申请公布日期 2004.04.11
申请号 TW091118266 申请日期 2002.08.14
申请人 尼康股份有限公司 发明人 小松田秀基
分类号 H01L21/027 主分类号 H01L21/027
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路二段一○○号七楼之一;萧锡清 台北市中正区罗斯福路二段一○○号七楼之一
主权项 1.一种照明光学系统,乃由光源射出之光照射被照射物体之装置,其特征为:在该光源射出之光光路上,横切该光路之方向设有用包含三阶以上函数表示透过率分布的滤光部材至少两个。2.如申请专利范围第1项所述之照明光学系统,其特征为,配备有驱动装置,能移动前述横切光路方向的滤光部材。3.如申请专利范围第2项所述之照明光学系统,其特征为,该驱动装置连续性的移动前述横切光路方向的滤光部材。4.如申请专利范围第2项所述之照明光学系统,其特征为,配备有控制装置以驱动该驱动装置控制前述横切光路方向的滤光部材各别的相对位置。5.如申请专利范围第3项所述之照明光学系统,其特征为,配备有控制装置以驱动该驱动装置控制前述横切光路方向的滤光部材各别的相对位置。6.如申请专利范围第1项至第5项中任一项所述的照明光学系统,其特征为,该滤光部材配置在该被照射物体近傍,或对该被照射物体的被照面光学上共轭的面或其近傍。7.如申请专利范围第1项至第5项中任一项所述之照明光学系统,其特征为,该些滤光部材各别的透过率分布,在横切光路之方向,配置成大略反转之关系。8.如申请专利范围第6项所述之照明光学系统,其特征为,该些.滤光部材各别的透过率分布,在横切光路之方向,配置成大略反转之关系。9.一种照明光学系统,乃由光源射出之光照射被照射物体之装置,其特征为:在该光源射出之光的光路上,横切该光路之第一方向及与该第一方向直交的第二方向,各设有以三阶以上之函数表示透过率分布的滤光部材少两个。10.如申请专利范围第9项所述之照明光学系统,其特征为,配备有驱动装置,至少能够往前述第一方向及第二方之一方的方向,移动该些滤光部材。11.如申请专利范围第10项所述之照明光学系统,其特征为,该驱动装置能够连续性移动上述滤光部材向第一方向及第二方向挪动。12.如申请专利范围第9项所述之照明光学系统,其特征为备有控制装置,驱动该驱动装置,以控制前述之第一方向与第二方向之至少一方的方向上的滤光部材各个的相对位置。13.如申请专利范围第10项所述之照明光学系统,其特征为备有控制装置,驱动该驱动装置,以控制前述之第一方向与第二方向之至少一方的方向上的滤光部材各个的相对位置。14.如申请专利范围第9项至第13项中任一项所述的照明光学系统,其特征为,该滤光部材配置在该被照射物体近傍,或对该被照射物体的被照面光学上共轭的面或其近傍。15.如申请专利范围第9项至第13项中任一项所述之照明光学系统,其特征为,该些滤光部材各别的透过率分布,在横切光路之方向,配置成大略反转之关系。16.如申请专利范围第14项中任一项所述之照明光学系统,其特征为,该些滤光部材各别的透过率分布,在横切光路之方向,配置成大略反转之关系。17.一种曝光装置,乃由光源之光照射罩幕,再将该罩幕形成的图案转写到感光性基板之装置,其特征为具备:罩幕座,作成可载置该罩幕的构造,及基板座,作成可载置该感光性基板的构造,以及照明光学系统,如申请专利范围第1项至第16项中任一项所述的照明光学系统,可将前述光源之光照射罩幕。18.一种曝光装置,系由光源之光照射罩幕,再将该罩幕形成的图案转写到感光性基板之装置,其特征为配设罩幕座,作成在载置罩幕之状态可移动之构造,及基板座,作成在载置该感光性基板之状态可能移动之构造,及照明光学系统,如申请专利范围第1项至第5项任一项所述之照明光学系统,可将前述光源之光照射该罩幕,及投影光学系统,在该感光性基板上形成前述罩幕的图案之影像,及罩幕座驱动系统,连接前述罩幕座,能移动该罩幕座,及基板座驱动系统,连接前述基板座,能移动该基板座,以及控制部,连接上述罩幕座驱动系统及基板座驱动系统,控制该罩幕座驱动系统及基板座驱动系统,使该罩幕与感光性基板配合该投影光学系统的倍率,沿扫描方向移动;前述横切光路的方向,被设定成横切该扫描方向对应之方向。19.一种微元件的制造方法,其特征为包含:曝光工程,使用如申请专利范围第17项或第18项所述之曝光装置,将在该罩幕形成的图案在该感光性基板曝光,以及显像工程,将曝光的该感光性基板显像。图式简单说明:第1图示本发明的实施例之曝光装置全体构成的概略图。第2图示滤光器14a、14b之一例的外观斜视图。第3(a)图所绘示为照度不均匀的计测方法说明图。第3(b)图所绘示为曝光区域之非扫瞄方向(X方向)的照度分布E(X)。第3(c)图所绘示为曝光区域之扫瞄方向(Y方向)的照度分布F(Y)。第4图示滤光器14a、14b的相对位置变化之场合,其透过率分布之变化的模拟结果。第4(a)图示滤光器14a的透过率分布。第4(b)图示滤光器14b的透过率分布。第4(c)图示滤光器14a、14b组合的透过率分布。第5图示横切曝光之光路的第一方向,及与第一方向直交之各方向具有包含三次以上函数的函数表示透过率分布之滤光器一例。第6图示对具有第5图所示透过率分布的滤光器,设置于另一方向之滤光器的透过率分布之一例。第7图示具有第5图所示透过率分布的滤光器之X方向及Y方向的挪移量为0.1,第6图所示透过率分布的滤光器之X方向及Y方向的挪移量为 -0.1时,滤光器组合的透光率分布图。第8图示具有第5图所示透光率分布的滤光器,设定X方向挪移0.1,Y方向挪量为-0.1;第6图所示透过率分布的滤光器,设定其X方向之挪移量为-0.1,Y方向的挪移量为0.1时,滤光器组合的透光率分布图。第9图示微元件的制造工程之一例的流程图。第10图示半导体元件之制造场合,第9图的步骤S13的详细流程之一例。第11图用聚光镜调整照度分布之原理的说明图。
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