| 主权项 |
1.一种改善光阻轮廓之方法,包括:提供一基底;形成一牺牲光阻于上述基底表面;图案化上述牺牲光阻,以形成一图案化牺牲光阻;形成一遮蔽层于整个基底表面;以及施行一蚀刻程序,以去除上述图案化牺牲光阻,仅留下一由上述遮蔽层所构成之互补图案,做为一蚀刻罩幕。2.如申请专利范围第1项所述之改善光阻轮廓之方法,其中上述牺牲光阻之解析度高于上述牺牲光阻。3.如申请专利范围第1项所述之改善光阻轮廓之方法,其中上述牺牲光阻系正光阻(positivephotoresistor)。4.如申请专利范围第1项所述之改善光阻轮廓之方法,其中上述图案化牺牲光阻系透过一负光罩(negative mask)所定义出来。5.如申请专利范围第1项所述之改善光阻轮廓之方法,其中上述图案化牺牲光阻系透过一无铬模型光罩(chromelessmask)所定义出来。6.如申请专利范围第1项所述之改善光阻轮廓之方法,其中上述牺牲光阻系利用一显微影像(photolithography)程序进行图案化。7.如申请专利范围第6项所述之改善光阻轮廓之方法,其中上述显微影像程序系利用正轴发光(on-axisillumination)进行曝光。8.如申请专利范围第6项所述之改善光阻轮廓之方法,其中上述显微影像程序系利用偏轴发光(off-axis illumination)进行曝光。9.如申请专利范围第8项所述之改善光阻轮廓之方法,其中上述偏轴发光之形状系环形。10.如申请专利范围第8项所述之改善光阻轮廓之方法,其中上述偏轴发光之形状系四孔(quadrupole illumination)。11.如申请专利范围第8项所述之改善光阻轮廓之方法,其中上述偏轴发光之形状系二孔(dipole)。12.如申请专利范围第1项所述之改善光阻轮廓之方法,其中上述牺牲光阻系利用电子束直接写入法(electronbeam directly writing)进行图案化。13.如申请专利范围第1项所述之改善光阻轮廓之方法,其中上述牺牲光阻系利用离子束直接写入法(ion beam directlywriting)进行图案化。14.如申请专利范围第1项所述之改善光阻轮廓之方法,其中上述图案化牺牲光阻具有一接触孔(contact hole)图案。15.如申请专利范围第1项所述之改善光阻轮廓之方法,其中上述图案化牺牲光阻具有一沟槽(trench)图案。16.如申请专利范围第1项所述之改善光阻轮廓之方法,其中上述遮蔽层系COMA(cylcoolefin maleic anhydride)或VEMA(vinyl ether maleic anhydride)。17.如申请专利范围第1项所述之改善光阻轮廓之方法,其中上述牺牲光阻/遮蔽层之蚀刻选择比(selectivity)大于10。18.一种改善光阻轮廓之方法,包括:提供一基底;形成一牺牲光阻于上述基底表面;透过一第一光罩对上述牺牲光阻进行一第一次曝光程序,以形成一第一影像图案;透过一第二光单对上述牺牲光阻进行一第二次曝光程序,以形成一第二影像图案;将上述第一影像图案与第二影像图案重叠所得结果在上述牺牲光阻内显影出来,以形成一图案化牺牲光阻;形成一遮蔽层于整个基底表面,以覆盖上述图案化牺牲光阻,其中上述遮蔽层之抗蚀刻能力较上述牺牲光阻佳;以及施行一蚀刻程序,以去除上述图案化牺牲光阻,仅留下一由上述遮蔽层所构成之互补图案,做为一蚀刻罩幕。19.如申请专利范围第18项所述之改善光阻轮廓之方法,其中上述牺牲光阻之解析度高于上述牺牲光阻。20.如申请专利范围第18项所述之改善光阻轮廓之方法,其中上述牺牲光阻系正光阻(positive photoresistor)。21.如申请专利范围第18项所述之改善光阻轮廓之方法,其中上述第一次曝光程序系利用正轴发光(on-axis illumination)进行。22.如申请专利范围第18项所述之改善光阻轮廓之方法,其中上述第二次曝光程序系利用正轴发光(on-axisillumination)进行。23.如申请专利范围第18项所述之改善光阻轮廓之方法,其中上述第一次曝光程序系利用偏轴发光(off-axis illumination)进行。24.如申请专利范围第8项所述之改善光阻轮廓之方法,其中上述偏轴发光之形状系环形。25.如申请专利范围第8项所述之改善光阻轮廓之方法,其中上述偏轴发光之形状系四孔(quadrupole illumination)。26.如申请专利范围第8项所述之改善光阻轮廓之方法,其中上述偏轴发光之形状系二孔(dipole)。27.如申请专利范围第18项所述之改善光阻轮廓之方法,其中上述第二次曝光程序系利用偏轴发光(off-axisillumination)进行。28.如申请专利范围第8项所述之改善光阻轮廓之方法,其中上述偏轴发光之形状系环形。29.如申请专利范围第8项所述之改善光阻轮廓之方法,其中上述偏轴发光之形状系四孔(quadrupole illumination)。30.如申请专利范围第8项所述之改善光阻轮廓之方法,其中上述偏轴发光之形状系二孔(dipole)。31.如申请专利范围第1项所述之改善光阻轮廓之方法,其中上述图案化牺牲光阻具有一接触孔(contact hole)图案。32.如申请专利范围第1项所述之改善光阻轮廓之方法,其中上述遮蔽层系COMA(cylcoolefin maleic anhydride)或VEMA(vinyl ether maleicanhydride)。33.如申请专利范围第1项所述之改善光阻轮廓之方法,其中上述牺牲光阻/遮蔽层之蚀刻选择比(selectivity)大于10。图式简单说明:第1A图至第1E图系显示根据本发明之一较佳实施例之一制程剖面图。第2图系说明根据本发明之形成图案化牺牲光阻之一较佳实施例。第3图系说明根据本发明之形成图案化牺牲光阻之一较佳实施例。第4图系显示根据本发明之一负光罩之剖面图。第5A图至第5E图系显示根据本发明之一较佳实施例之一制程剖面图。第6A图至第6B图系显示根据本发明之一较佳实施例之一二次曝光光罩俯视图。第6C图线显示根据第6A图与第6B图之光罩进行二次曝光后所得结果。第7A图至第7B图系显示根据本发明之另一较佳实施例之一二次曝光光罩俯视图。第7C图线显示根据第7A图与第7B图之光罩进行二次曝光后所得结果。第8A图至第8B图系显示根据本发明之又一较佳实施例之一二次曝光光罩俯视图。第8C图线显示根据第8A图与第8B图之光罩进行二次曝光后所得结果。 |
