| 主权项 |
1.一种溅镀装置,系包含:一溅镀腔室,其中一基材与一其前侧面对该机材之标靶被提供,以便藉由沉积来自该标靶前侧之溅镀颗粒而在该基材上形成一金属层;以及一具有一封装形状之磁场产生构件,其系包括一开放区域并被设置在一与该标靶之垂直中心线分开之位置处,该磁场产生构件系面对该标靶后侧,以便以非均匀磁场提供该标靶前侧。2.如申请专利范围第1项之溅镀装置,其中该磁场产生构件包含:一支撑组件,系具有一平板形状以及与该标靶之垂直中心线相同之垂直中心线;一主磁场产生组件,系被置放在与该支撑组件之垂直中心分离之位置处;以及一驱动组件,系与该支撑组件连接并用以旋转该支撑组件。3.如申请专利范围第2项之溅镀装置,其中该主磁场产生组件包含:一第一磁铁,系具有沿着该支撑组件之垂直方向被配置的正与负极,该第一磁铁系具有一封装形状且被置放在该支撑组件处,并且该辅助磁场产生组件系与该支撑组件之垂直中心线与该主磁场产生组件分离。4.如申请专利范围第3项之溅镀装置,其中该主磁场产生组件包含:一第一框架,系具有一由该第一磁铁所界定之尺寸,该第一框架系被连结至该支撑组件上,并且该第一框架系由一磁性物质所组成;一第二框架,系由与该第一框架相同之磁性物质所组成,并具有由该第一磁铁所定义之直径的环形形状;以及第三框架,系由与该第一框架相同之磁性物质所组成,并具有用以覆盖该第二磁铁之表面部分的平板形状,并且其中该第一磁铁被定置在该第一框架与该第二框架之间,并且该第二磁铁被定置在该第一框架与该第三框架之间。5.如申请专利范围第2项之溅镀装置,其中该磁场产生构件进一步包含一辅助磁场产生组件被置放在该支撑组件处,并且该辅助磁场产生组件系与该支撑组件之垂直中心线与该主磁场产生组件分开。6.如申请专利范围第5项之溅镀装置,其中该辅助磁场产生组件被设置在该支撑组件之复数个位置处。7.如申请专利范围第5项之溅镀装置,其中该辅助磁场产生组件包含:第三磁铁,系具有沿着该支撑组件之垂直方向被舖置之正与负极,该第三磁铁系具有较该主磁场产生组件更小的封装形状,以及较该主磁场产生组件更高的高度,并包括一第三开放区域与一第四开放区域,该第三开放区域系被定置在该支撑组件之垂直中心线的附近,而该第四开放区域系被置放成远离该支撑组件之垂直中心线;以及一第四磁铁,系具有以沿着该支撑组件的垂直方向之该第三磁铁相同的方式被配置之正与负极,并且该第二磁铁系被定置在该第三磁铁内以及该第四开放区域的附近。8.如申请专利范围第7项之溅镀装置,其中该辅助磁场产生组件包含:一具有一平板形状之第四框架,该平板形状系具有由该第三磁铁所定义的尺寸,该第四框架系被连结至该支撑组件上,并且该第四框架系由一磁性物质所组成;一具有环形形状之第五框架,该环形形状系具有由该第五框架所定义之直径,该第五框架系由与该第四框架相同之磁性物质所组成;以及一第六框架,系由与该第四框架相同之磁性物质所组成,并具有用以覆盖该第四磁铁之表面部分的平板形状,并且其中该第三磁铁被定置在该第四框架与该第五框架之间,并且该第四磁铁被定置在该第四框架与第六框架之间。9.如申请专利范围第5项之溅镀装置,其中该主磁铁产生组件与该辅助磁场产生组件之垂直中心线被定置在该支撑组件之径向线上。10.如申请专利范围第5项之溅镀装置,其中该主磁场产生组件的尺寸为该辅助磁场产生组件之尺寸的1.1-2倍。11.如申请专利范围第5项之溅镀装置,其中从该主磁场产生组件至该标靶后侧的距离与从该辅助磁场产生组件至该标靶后侧的距离之比为1:0.80-0.95。12.如申请专利范围第7项之溅镀装置,其中该第一开放区域、该第二开放区域、该第三开放区域及该第四开放区域之垂直中心线被定置在该支撑组件之径向线上。13.如申请专利范围第7项之溅镀装置,其中该第一开放区域的尺寸为该第二开放区域之尺寸的1.1-2倍,并且该第三开放区域之尺寸为第四开放区域之尺寸的1.1-2倍。14.如申请专利范围第7项之溅镀方法,其中该第一磁铁、该第二磁铁、该第三磁铁与该第四磁铁之S极面对该支撑组件,并且该第一磁铁、该第二磁铁、该第三磁铁与该第四磁铁之N极面对该标靶后侧。15.如申请专利范围第1项之溅镀装置,其中该磁场产生构件与该标靶平行。16.如申请专利范围第1项之溅镀装置,其中该磁场产生构件之该封装形状被以弯曲形状配置。17.如申请专利范围第1项之溅镀装置,其中来自该磁场产生构件之磁力在相对于该标靶后侧的垂直方向上被产生。18.如申请专利范围第1项之溅镀装置,其中为1,400-1,800高斯的磁场被该磁场产生构件供应至该标靶之前表面上。图式简单说明:第1与2图例示用以说明传统溅镀装置之标靶腐蚀轮廓图;第3图为用以说明根据本发明实施例之溅镀装置的示意图;第4图为用以说明第3图中的磁场产生组件之透视图;第5图为用以说明第4图中的主磁产产生组件的透视图;第6图为用以说明第4图中的辅助磁场产生组件的透视图;第7图为用以说明包括根据本发明另一实施例被设置于复数个支撑组件处之辅助磁场产生组件之溅镀装置的示意图;第8图为用以说明在第3图中从标靶后侧至主要与辅助磁场产生组件之距离的组构图;第9A至9C图为用以说明相对于标靶腐蚀轮廓之金属层沉积轮廓的横截面图;第10图为用以说明由第3图中的主磁场产生组件所得到之标靶腐蚀轮廓的横截面图;第11图为用以说明由第3图中的辅助磁场产生组件所得到之标靶腐蚀轮廓的横截面图;第12图为用以说明由包括第3图中的主要与辅助磁场产生组件之磁场产生组件所得到之标靶腐蚀轮廓的横截面图;第13图为用以例示由第3图中的主磁场产生组件所提供之磁场分布的透视图;第14图例示相对于传统溅镀装置与第3图之溅镀装置之标靶腐蚀轮廓的比较图。 |
