| 主权项 |
1.一种基板处理装置,其系具有基板加热用的主加热器,经由该主加热器对反应室内的基板进行加热处理者;其特征在于,系于上述反应室内设置有昇华用加热器与用以载置原料的原料昇华部,上述昇华用加热器系设置于上述原料昇华部的近旁,经由上述昇华用加热器对上述原料加热,使其昇华。2.如申请专利范围第1项之基板处理装置,其中系于上述原料昇华部与基板处理区域之间的上述反应室内设置有绝热部者。3.如申请专利范围第2项之基板处理装置,其中系将上述昇华用加热器的加热温度作成为超过原料的昇华温度者。4.如申请专利范围第1项之基板处理装置,其中系以于上述主加热器的温度达到处理上述基板时的温度后,控制上述主加热器及昇华用加热器,使上述昇华用加热器的温度达到上述原料昇华时之温度。5.如申请专利范围第1项之基板处理装置,其中系以于上述原料达到进行昇华的温度时,使上述基板的温度可达到处理温度的方式,来控制上述主加热器与昇华用加热器。6.如申请专利范围第1项之基板处理装置,其中,上述昇华用加热器系含有底板与加热器元件,于上述底板的上面载置有金属污染防止用载置器。7.一种半导体装置之制造方法,其特征在于,系具有下述诸步骤:于反应室内对基板以主加热器加热之步骤;将载体气体导入上述反应室内之步骤;经由设置于上述反应室内之昇华用加热器使载置于上述反应室内之原料进行昇华之步骤;及使上述昇华之原料扩散到基板之步骤。8.如申请专利范围第7项之半导体装置之制造方法,其中系更进一步具有,使上述昇华之原料,越过设置于原料昇华区域与基板处理区域之间之绝热部,供给到上述基板处理区域之步骤。9.如申请专利范围第7项之半导体装置之制造方法,其中上述昇华步骤,系使上述昇华用加热器的加热温度作成为超过上述原料的昇华温度。10.如申请专利范围第7项之半导体装置之制造方法,其中上述昇华步骤,系于上述主加热器的温度达到上述基板进行处理时的温度后,使上述昇华用加热器的温度须达到用以使上述原料昇华时之温度。11.如申请专利范围第7项之半导体装置之制造方法,其中系于经由上述昇华步骤使上述原料达到昇华温度时,上述基板的温度亦已到达上述处理温度。图式简单说明:图1为显示基板处理装置的剖面图;图2为显示图1所示之基板处理装置的一部份的剖面图;图3为显示图1所示之基板处理装置的一部份的剖面图;图4为显示图1所示之基板处理装置的一部份的侧视图;图5为显示图1所示之基板处理装置的一部份的侧视图。图6(a)、(b)为显示在半导体的表面形成的膜上氧化锑扩散时的加热器的加热温度的变化之曲线图。图7为显示习知的基板处理装置之概略剖面图。图8为显示习知的其他之基板处理装置之概略剖面图。图9为图8的放大A-A剖面图。 |
