| 主权项 |
1.一种形成不同厚度氮化层的方法,包括:提供一半导体基底;对该半导体基底进行预先氮化处理而形成一氮化薄膜于该半导体基底上;形成一遮蔽层覆盖部分之该氮化薄膜;移除未被该遮蔽层覆盖之氮化薄膜以露出部分之该半导体基底;移除该遮蔽层;全面进行氮化沈积而形成第一氮化层于该氮化薄膜上以及一第二氮化层于该半导体基底上,其中该第一氮化层的厚度比第二氮化层厚。2.如申请专利范围第1项所述之形成不同厚度氮化层的方法,其中该半导体基底为矽基底。3.如申请专利范围第1项所述之形成不同厚度氮化层的方法,其中该氮化薄膜之厚度小于10埃。4.如申请专利范围第1项所述之形成不同厚度氮化层的方法,其中预先氮化处理系以NH3进行。5.如申请专利范围第1项所述之形成不同厚度氮化层的方法,其中预先氮化处理系以N2电浆进行。6.如申请专利范围第1项所述之形成不同厚度氮化层的方法,其中该预先氮化处理温度范围为700~900℃之间。7.如申请专利范围第6项所述之形成不同厚度氮化层的方法,其中该预先氮化处理的温度系用来控制第一氮化层成长的速度。8.如申请专利范围第1项所述之形成不同厚度氮化层的方法,其中该第一氮化层之成长速度比第二氮化层快。9.如申请专利范围第1项所述之形成不同厚度氮化层的方法,其中该遮蔽层为光阻。10.如申请专利范围第1项所述之形成不同厚度氮化层的方法,其中该氮化沈积步骤是以低压化学气相沈积(LPCVD)或喷射气相沈积(JVD)进行。11.如申请专利范围第10项所述之形成不同厚度氮化层的方法,其中该低压气相沈积步骤使用二氯矽烷(SiH2Cl2)以及阿摩尼亚(NH3)为反应气体。图式简单说明:第1A~1E图为本发明绘示根据本发明之实施例形成不同厚度氮化层之方法的制程剖面图。 |
