| 主权项 |
1.一种垂直式氮化物唯读记忆单元之制造方法,包括下列步骤:提供一基底,该基底具有至少一沟槽;在邻近该基底表面及该沟槽底部之该基底中各形成一掺杂区以作为位元线;在每一该等掺杂区上方各形成一位元线绝缘层;在该沟槽的侧壁及该等位元线绝缘层表面顺应性形成一绝缘层以作为闸极介电层;以及在该绝缘层上方形成一导电层并填入该沟槽。2.如申请专利范围第1项所述之垂直式氮化物唯读记忆单元之制造方法,其中该沟槽之深度在1400到1600埃的范围。3.如申请专利范围第1项所述之垂直式氮化物唯读记忆单元之制造方法,其中形成该掺杂区更包括下列步骤:在该沟槽侧壁形成一间隙壁;以及利用该间隙壁作为一罩幕而对该基底实施一离子植入程序。4.如申请专利范围第3项所述之垂直式氮化物唯读记忆单元之制造方法,其中该间隙壁系由氮化矽所构成。5.如申请专利范围第3项所述之垂直式氮化物唯读记忆单元之制造方法,其中藉由磷来实施该离子植入。6.如申请专利范围第3项所述之垂直式氮化物唯读记忆单元之制造方法,其中更包括在形成该绝缘层之前去除该间隙壁之步骤。7.如申请专利范围第1项所述之垂直式氮化物唯读记忆单元之制造方法,其中藉由热氧化法形成该等位元线绝缘层。8.如申请专利范围第1项所述之垂直式氮化物唯读记忆单元之制造方法,其中该等位元线绝缘层的厚度在500到700埃的范围。9.如申请专利范围第1项所述之垂直式氮化物唯读记忆单元之制造方法,其中该绝缘层系一氧化-氮化-氧化层。10.如申请专利范围第1项所述之垂直式氮化物唯读记忆单元之制造方法,其中该导电层系一复晶矽层。11.一种垂直式氮化物唯读记忆单元,包括:一基底,该基底具有至少一沟槽;复数位元线,形成于邻近该基底表面及该沟槽底部之该基底中;复数位元线绝缘层,设置于每一该等位元线上方;一闸极介电层,顺应性地设置于该沟槽侧壁及该等位元线绝缘层表面;以及一字元线,设置于该闸极介电层上方并填入该沟槽。12.如申请专利范围第1项所述之垂直式氮化物唯读记忆单元,其中该沟槽之深度在1400到1600埃的范围。13.如申请专利范围第11项所述之垂直式氮化物唯读记忆单元,其中该等位元线系藉由磷离子植入所形成。14.如申请专利范围第11项所述之垂直式氮化物唯读记忆单元,其中该等位元线绝缘层系藉由热氧化法所形成。15.如申请专利范围第11项所述之垂直式氮化物唯读记忆单元,其中该等位元线绝缘层的厚度在500到700埃的范围。16.如申请专利范围第11项所述之垂直式氮化物唯读记忆单元,其中该闸极介电层系一氧化-氮化-氧化层。17.如申请专利范围第11项所述之垂直式氮化物唯读记忆单元,其中该字元线系由复晶矽所构成。图式简单说明:第1图系绘示出传统氮化物唯读记忆单元之结构剖面示意图。第2a到2f图系绘示出根据本发明实施例之垂直氮化物唯读记忆单元制造方法之剖面示意图。第3图系绘示出第2f图中垂直式氮化物唯读记忆单元之平面图。 |
