发明名称 磨光用组成物以及利用彼之磨光方法
摘要 一种磨光用组成物,包含:(a)具正电荷表面的胶态矽石,(b)具负电荷表面的胶态矽石,(c)至少一种酸,选自硝酸、氢氯酸、硫酸、乳酸、醋酸、草酸、柠檬酸、苹果酸、丁二酸、丁酸和丙二酸,(d)至少一种抗蚀剂,选自苯并三唑、苯并咪唑、三唑、咪唑、甲苯三唑和它们的衍生物,及(e)水。
申请公布号 TW583301 申请公布日期 2004.04.11
申请号 TW091122517 申请日期 2002.09.30
申请人 富士见股份有限公司 发明人 浅野宏;酒井谦儿;伊奈克芳
分类号 C09K3/14 主分类号 C09K3/14
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种磨光用组成物,其包含:(a)具正电荷表面的胶态矽石,(b)具负电荷表面的胶态矽石,(c)至少一种酸,其选自硝酸、氢氯酸、硫酸、乳酸、醋酸、草酸、柠檬酸、苹果酸、丁二酸、丁酸和丙二酸所组成之群,(d)至少一种抗蚀剂,其选自苯并三唑、苯并咪唑、三唑、咪唑、甲苯三唑和它们的衍生物所组成之群,及(e)水。2.如申请专利范围第1项之磨光用组成物,其中具正电荷表面的胶态矽石(a),其表面经矾土或氧化锆进行过表面处理。3.如申请专利范围第1项之磨光用组成物,其进一步包含:(f)至少一种有机化合物,其选自聚环氧乙烷、聚环氧丙烷、聚连氧伸乙基烷基醚、聚连氧伸丙基烷基醚和聚连氧伸乙基聚连氧伸丙基烷基醚所组成之群。4.一种磨光方法,其包含以申请专利范围第1项之磨光用组成物对于在基材上至少包含铜、一含钽化合物和一低介电常数绝缘材料的半导体装置进行磨光处理。
地址 日本