| 主权项 |
1.一种场效型化合物半导体装置,其中至少有一通道层与一蚀刻挡止层会依序设在一半导体基材上;一闸极电极系肖特基接触(Schottky-contact)该蚀刻挡止层,而设在该蚀刻挡止层上;且具有0.66至0.9之In成分比的InGaP会被用来作为该蚀刻挡止层。2.如申请专利范围第1项之场效型化合物半导体装置,其中有一罩盖层被设在该蚀刻挡止层上位于该闸极电极的两侧;及一源极电极和一汲极电极设在该罩盖层上。3.如申请专利范围第1项之场效型化合物半导体装置,其中InGaAs系被用来作为该罩盖层。4.如申请专利范围第1项之场效型化合物半导体装置,其中该通道层系为一载子移转层,且一可产生二维载子气体的载子供应层系被设在该载子移转层的一侧面上,而介于该载子移转层与蚀刻挡止层之间。5.如申请专利范围第1项之场效型化合物半导体装置,其中有一由i型障壁层构成的中间层介设在该载子供应层与蚀刻挡止层之间。6.如申请专利范围第4项之场效型化合物半导体装置,其中有一由i型间隔层构成的中间层介设在该载子供应层与载子移转层之间。7.如申请专利范围第5项之场效型化合物半导体装置,其中该中间层系由具有0.3至0.4之In成分比的i型InAlAs层所构成。8.如申请专利范围第6项之场效型化合物半导体装置,其中该中间层系由具有0.3至0.4之In成分比的i型InAlAs层所构成。9.如申请专利范围第1项之场效型化合物半导体装置,其中该半导体基材和通道层具有一晶格应变组群结构,而各具有不同的晶格常数。10.如申请专利范围第9项之场效型化合物半导体装置,其中该半导体基材系由GaAs所制成。11.如申请专利范围第10项之场效型化合物半导体装置,其中有一可减轻晶格不匹配的缓冲层被设在该半导体基材与通道层之间。12.如申请专利范围第11项之场效型化合物半导体装置,其中该缓冲层的成分会分级渐变。13.如申请专利范围第1项之场效型化合物半导体装置,其中该半导体基材与通道层系属于晶格常数大致相同的组群。14.如申请专利范围第13项之场效型化合物半导体装置,其中该半导体基材系由InP制成。15.如申请专利范围第1项之场效型化合物半导体装置,其中闸极电极系由Al、Ti/Al、Ti/Au、Ti/Pt'Au、Ti/Al/Pt/Au、Pd/Al/Ti、Pd/Ti/Pt/Au、Wsi/Au、TiW/Au中之至少一者所制成。16.一种用来制造场效型化合物半导体装置的方法,包含下列步骤:(a)在一半导体基材上依序堆叠至少一通道层,一由具有0.66至0.9之In成分比的InGaP制成的蚀刻挡止层,及一罩盖层;(b)选择性地蚀刻掉一部份的罩盖层而来形成一闸极凹陷部;及(c)在曝露于该闸极凹陷部的蚀刻挡止层表面上制设一闸极电极。17.如申请专利范围第16项之方法,其中该罩盖层系由InGaAs制成。18.如申请专利范围第16项之方法,其中该通道层系为一载子移转层;且一可产生二维载子气体的载子供应层会被设在该载子移转层的一侧面,而介于该载子移转层与蚀刻挡止层之间。19.如申请专利范围第18项之方法,其中一i型障壁层会被设在该载子供应层与蚀刻挡止层之间。20.如申请专利范围第19项之方法,其中该载子供应层与蚀刻挡止层至少有一者系由In成分比为0.3至0.4的i型InAlAs层所构成。图式简单说明:第1图为一习知HEMT的截面示意图;第2图为一习知的InAlP成分与电位障壁之温度改变率的关系说明图;第3图为本发明的基本结构图;第4图为本发明之一HEMT的截面示意图;及第5图为依据本发明之InGaP成分与电位障壁之温度改变率的关系说明图。 |
