| 主权项 |
1.一种形成主光罩之方法,其系用于将一具有尺寸大于可被一次曝光之区域的图案曝光在被曝光体上时,该方法包含:将该尺寸大于可被一次曝光之区域的图案分割为一低重复性区域与一高重复性区域,在至少一第一主光罩上绘制一低重复性区域之图案,以及在至少一第二主光罩上绘制一高重复性区域之图案。2.根据申请专利范围第1项之形成主光罩之方法,其中高重复性区域系一功能性元件之图案,低重复性区域系一切割区之图案,该切割区之图案包含X方向以及与X方向交叉之Y方向之图案,且X-方向图案与Y-方向图案之一,被绘制于第一主光罩上。3.根据申请专利范围第2项之形成主光罩之方法,其中切割区之图案根据可被一次曝光之区域,被分割为复数个图案,且该被分割成复数个之切割区之图案系被绘制于第一主光罩上。4.一种形成主光罩之方法,其系用于将一具有尺寸大于可被一次曝光之区域的图案曝光在被曝光体上时,该方法包含:将该尺寸大于可被一次曝光之区域的图案分割为一低重复性区域与一高重复性区域,在至少一第一主光罩上,绘制一低重复性区域之图案,以及绘制低重复性区域之一图案于该主光罩之绘制有高重复性区域图案部分以外之部分上。5.根据申请专利范围第4项之形成主光罩之方法,其中高重复性区域系一功能性元件之图案,低重复性区域系一切割区之图案,该切割区之图案包含X方向以及与X方向交叉之Y方向之图案,且至少X-方向图案与Y-方向图案之一,被绘制于第一主光罩上。6.根据申请专利范围第5项之形成主光罩之方法,其中切割区之图案根据可被一次曝光之区域,被分割为复数个图案,且该被分割成复数个之切割区之图案系被绘制于第一主光罩上。7.一种曝光方法,其藉由使用绘制有被分割在可被一次曝光之区域范围内之图案的主光单,将尺寸大于可被一次曝光之区域之图案曝光在被曝光体上,其包含:将尺寸大于可被一次曝光之区域之图案分割成一低重复性区域与一高重复性区域,藉由使用至少一绘制有低重复性区域之图案的第一主光罩,将低重复性区域之图案曝光于被曝光体上,以及使用至少一绘制有高重复性之区域之图案的第二主光罩,其上,将高重复性区域之图案共同曝光于被曝光体上。8.根据申请专利范围第7项之曝光方法,其中根据可被一次曝光之区域,将低重复性区域之图案分割成复数个图案,并绘制于第一主光罩上,而当将复数个绘制于第一主光罩上之被分割图案曝光在被曝光体上时,在复数个被分割图案当中,仅选择欲曝光之图案并照射。9.一种曝光方法,其藉由使用绘制有被分割在可被一次曝光之区域范围内之图案的主光罩,将尺寸大于可被一次曝光之区域之图案曝光在被曝光体上,其包含:将尺寸大于可被一次曝光之区域的图案分割成一低重复性区域与一高重复性区域,以及藉由使用一主光罩,将低重复性区域之图案曝光在被曝光体上,该主光罩具有其上绘制有高重复性区域之图案的第一部份,以及其上绘制有低重复性区域之图案的第二部分;并藉由使用主光罩,将高重复性区域之图案共同曝光在被曝光体上。10.根据申请专利范围第9项之曝光方法,其中根据可被一次曝光之区域,将低重复性区域之图案分割成复数个图案,并绘制于第一主光罩上,而当将复数个绘制于第一主光单上之被分割图案曝光在被曝光体上时,在复数个被分割图案当中,仅选择欲曝光之图案并照射。11.根据申请专利范围第9项之曝光方法,其中在将绘制有低重复性区域之图案的主光罩曝光于被曝光体上时,遮蔽该高重复性区域之图案,仅选择低重复性区域之图案并照射。12.根据申请专利范围第11项之曝光方法,其中根据可被一次曝光之区域,将低重复性区域之图案分割成复数个图案,并绘制于主光罩上,而当将复数个绘制于主光罩上之被分割图案曝光在被曝光体上时,在复数个被分割图案当中,仅选择欲曝光之图案并照射。13.一种形成主光罩之方法,其系藉由矫正绘制有被分割成复数个部分之图案的主光罩形成主光罩,其包含:当上述一图案之被矫正部分横跨复数个主光罩时,于一主光罩上绘由矫正上述一图案之被矫正部分所得之图案。14.一种装置光罩,其包含:复数个主光罩,其上根据可被一次曝光之区域,分别绘制有被分割之切割区的图案。15.一主光罩,其包含:一第一部份,其上绘制有一功能性元件之图案,以及一异于该第一部份之第二部分,其具有绘制于其上之功能性元件之图案,其上绘制有根据可被一次曝光之区域所分割之切割区图案。16.根据申请专利范围15项之主光罩,其进一步包含一第三部分,其上绘制有藉由使用遮蔽材料所形成之遮蔽图案,其中遮蔽图案系藉由使用不同于上述遮蔽材料之材料而矫正。17.一种半导体装置之制造方法,其包含:于基板上形成将被图案化之层,于该层上涂覆一层光阻,透过一标线曝光该光阻,其上形成有一电路图案,显影该光阻,以及以该光阻作为光罩图案化该层,其中该标线系藉由使用主光罩而形成,该主光罩上绘制有一尺寸大于可被一次曝光之区域的图案,且被分割为位于可被一次曝光之区域范围内之图案,而该标线曝光方法包含将尺寸大于可被一次曝光之区域之图案,分割成一高重复性区域与一低重复性区域,藉由使用至少一其上绘制有低重复性区域之图案的第一主光罩曝光标线上低重复性区域之图案,以及藉由利用至少一其上绘制有高重复性区域之图案的第二主光罩共同曝光标线上高重复性区域之图案。18.根据申请专利范围第17项之半导体装置之制造方法,其中根据可被一次曝光之区域,将低重复性区域之图案分割成复数个图案,并绘制于第一主光罩上,而当将第一主光罩上绘制之复数个分割图案曝光在标线上时,在复数个分割图案中,仅选择欲曝光之图案照射之。19.一种半导体装置之制造方法,其包含:在基板上形成将被图案化之层,于该层上涂覆一层光阻,透过一标线曝光该光阻,其上形成有一电路图案,显影该光阻,以及以该光阻作为光罩,图案化该层,其中该标线系藉由使用主光罩而形成,该主光罩上绘制有一尺寸大于可被一次曝光之区域的图案,且被分割为位于该可被一次曝光之区域范围内之图案,而该标线曝光方法包含将尺寸大于可被一次曝光之区域之图案分割成一高重复性区域与一低重复性区域,藉由使用一主光罩曝光标线上低重复性区域之图案,该主光罩包含一其上绘制有高重覆性区域之图案的第一部份,与一其上绘制有低重复性区域之图案的第二部份,以及藉由利用该主光罩共同曝光标线上高重复性区域之图案。20.根据申请专利范围第19项之半导体装置之制造方法,其中根据可被一次曝光之区域,将低重复性区域之图案分割为复数个图案,并绘制于该主光罩上,而当将第一主光罩上绘制之复数个分割图案曝光在标线上时,在复数个分割图案中,仅选择欲曝光之图案并照射。21.根据申请专利范围第19项之半导体装置之制造方法,其中遮蔽高重复性区域之图案,而当将绘制于主光罩上低重复性区域之图案曝光在标线上时,仅选择低重复性区域之图案并照射。22.根据申请专利范围第21项之半导体装置制造方法,其中根据可被一次曝光之区域,将低重复性区域之图案分割为复数个图案,并绘制于该主光罩上,而当将主光罩上复数个分割图案曝光在标线上时,在复数个分割图案中,仅选择欲曝光之图案并照射。23.一种半导体装置之制造方法,其包含:在基板上形成将图案化之层,于该层上涂覆一层光阻,将尺寸大于可被用于曝光一次光阻之图案分割成为一高重复性区域与一低重复性区域,藉由使用至少一第一光罩将低重复性区域之图案曝光于该光组上,该第一光罩上绘制有低重复性区域之图案,藉由至少一第二光罩,在光阻上曝光高重复性区域之图案,该第二光罩上绘制有高重复性区域之图案,显影该光阻,以及以该光阻作为光罩,图案化该层。24.根据申请专利范围第23项之半导体装置之制造方法,其中根据可被一次曝光之区域,将低重复性区域之图案分割为复数个图案,并绘制于该第一光罩上,而当将第一光罩上复数个分割图案曝光在光阻上时,在复数个分割图案中,仅选择欲曝光之图案并照射之。25.一种半导体装置之制造方法,其包含:在基板上形成将图案化之层,于该层上涂覆一层光阻,将尺寸大于可被用于曝光一次光阻之图案分割成为一高重复性区域与一低重复性区域,藉由使用至少一光罩将低重复性区域之图案曝光在光阻上,该光罩包含一其上绘制有高重复性区域之图案的第一部份,与一其上绘制有低重复性区域之图案的第二部分,以及藉由使用该光罩,在光阻上共同曝光高重复性区域之图案,显影该光阻,以及以该光阻作为光罩,图案化该层。26.根据申请专利范围第25项之半导体装置之制造方法,其中根据可被一次曝光之区域,将低重复性区域之图案分割为复数个图案,并绘制于该光罩上,而当将主光罩上复数个分割图案曝光在光阻上时,在复数个分割图案中,仅选择欲曝光之图案并照射之。27.根据申请专利范围第25项之半导体装置之制造方法,其中遮蔽高重复性区域之图案,而当将绘制于主光罩上低重复性区域之图案曝光在光阻上时,仅选择低重复性区域之图案并照射之。28.根据申请专利范围第26项之半导体装置之制造方法,其中根据可被一次曝光之区域,将低重复性区域之图案分割为复数个图案,并绘制于该光罩上,而当将该光罩上复数个分割图案曝光在光阻上时,在复数个分割图案中,仅选择欲曝光之图案并照射之。图式简单说明:图1A系一标线之平面图式;图1B系一平面图式,显示排列该用于形成图1A所示标线之传统主光罩之例子;图2系一透视图式,显示一曝光装置之概要结构,该装置系用于本发明;图3系一平面图式,显示根据本发明之第一具体实施例,形成主光罩之功能性元素;图4A系一平面图式,显示一X-方向切割区之分割;图4B系一平面图式,显示根据本发明之第一具体实施例,形成主光罩之一X-方向切割区;图5A系一平面图式,显示一Y-方向切割区之分割;图5B系一平面图式,显示根据本发明之第一具体实施例,形成主光罩之一Y-方向切割区;图6A系一平面图式,显示一状态,其中照射该根据本发明第一具体实施例、形成主光罩之X-方向切割区;图6B系一平面图式,显示一状态,其中照射该根据本发明第一具体实施例、形成主光罩之X-方向切割区;图7A系一平面图式,显示根据第一具体实施例,形成主光罩之功能性元素之放大部分;图7B系一平面图式,显示根据一第二具体实施例,形成主光罩之功能性元素,与X-方向切割区之放大部分;图7C系一平面图式,显示根据一第三系一平面图式,显示根据一第三具体实施例,形成主光罩之功能性元素、X-方向切割区,以及Y-方向切割区之放大部分;图8A系一平面图式,显示根据本发明之第二具体实施例,形成主光罩之功能性元素与X-方向切割区;图8B系一平面图式,显示根据本发明之第二具体实施例,形成主光罩之Y-方向切割区;图9系一平面图式,显示根据本发明之第三具体实施例,形成主光罩之功能性元素、X-方向切割区以及Y-方向切割区;图10A与10B系平面图式,分别显示半导体储存装置晶片之图案;图11系一平面图式,显示典型主光罩之排列;图12系一平面图式,显示根据本发明之一第四具体实施例,主光罩之排列;图13A系一平面图式,显示该主光罩之改良部分;图13B系一平面图式,显示根据本发明之一第五具体实施例,一经矫正之主光罩;图14系一平面图式,显示根据本发明之一第六具体实施例,经矫正之主光;图15A系一过程流程图,用于照射根据本发明之一第七具体实施例,一半导体装置制造方法;图15B系一过程流程图,用于照射该示于图15A之制造方法之一修正;图16A系一过程流程图,用于照射根据本发明之一第八具体实施例,一半导体装置制造方法;以及图16B系一过程流程图,用于照射该示于图16A之制造方法之一修正; |
