| 主权项 |
1.一种显示装置,其特征在于:于构成显示装置之基板上形成有薄膜电晶体,此薄膜电晶体具备:多晶矽所形成之半导体层,其包含通道区域、在此一通道区域两侧掺杂(Dope)入高浓度之杂质之汲极及源极区域、汲极区域与通道区域之间以及源极与通道区域之间或者汲极区域与通道区域之间掺杂(Dope)入低浓度之杂质之轻掺杂汲极(LDD)区域;绝缘膜,其形成于此一半导体层上面,自通道区域、轻掺杂汲极(LDD)区域、汲极及源极区域或汲极区域之各部分膜厚呈阶段性地依序减小;及闸极电极,其系在前述通道区域上间隔着前述绝缘膜所形成者。2.根据申请专利范围第1项之显示装置,其中汲极及源极区域上之绝缘膜之膜厚系80nm以下。3.根据申请专利范围第1项之显示装置,其中轻掺杂汲极(LDD)区域上之绝缘膜之膜厚系90nm以下。4.根据申请专利范围第1项之显示装置,其中通道区域上之绝缘膜之膜厚系100nm以下。5.根据申请专利范围第1项之显示装置,其中汲极及源极区域上之绝缘膜之膜厚比较通道区域上之绝缘膜之膜厚薄20nm以上。6.根据申请专利范围第1项之显示装置,其中位于LDD区域正上方之绝缘膜之膜厚与位于汲极及源极区域正上方之绝缘膜之膜厚之差距比较位于通道区域正上方之绝缘膜之膜厚与位于LDD区域正上方之绝缘膜之膜厚之差距为大。7.一种显示装置,其特征系具有一形成于绝缘性基板上之包含通道区域、在前述通道区域两侧形成之汲极及源极区域之多晶矽所形成之半导体层,及于前述汲极及源极区域上所形成而包含接触孔(Contact Hole)之绝缘膜,前述接触孔之侧面之角度,远离前述汲极及源极区域之区域之角度系比接近前述汲极及源极区域之区域之角度为大。8.根据申请专利范围第7项之显示装置,其中前述接触孔之侧面之角度较大之区域系进行等向性蚀刻(Etching),而前述角度较小之区域则系于进行异向性蚀刻(Etching)后再进行等向性蚀刻。9.一种显示装置,其特征系具有一形成于绝缘性基板上之包含闸极电极、通道区域、以及于前述通道区域两侧所形成之汲极及源极区域之多晶矽所形成之薄膜电晶体,及于前述汲极及源极区域及前述闸极电极上所形成之金属膜,及于前述金属膜上形成之包含接触孔(Contact Hole)之绝缘膜,前述接触孔系以异向性蚀刻所形成。10.一种显示装置之制造方法,其特征在于:于绝缘性基板上形成有薄膜电晶体,前述薄膜电晶体系经由于前述基板上形成由多晶矽组成之半导体层、绝缘膜、导电层之步骤,及使前述导电层残留于通道区域与LDD区域上,并以残留之该导电层作为光罩(Mask)进行高浓度之杂质之离子(Ion)植入步骤,及使前述导电层残留于通道区域上,并以残留之该导电层作为光罩(Mask)进行低浓度之杂质之离子植入步骤而形成,而且,残留于通道区域上之导电层之图案(Pattern)化过程中所使用之光阻(Resist)膜,系采用残留于通道区域与LDD区域上之导电层之图案(Pattern)化过程中所使用之光阻(Resist)膜之周边去除以后之光阻膜,同时,在使前述导电膜残留于通道区域与LDD区域上后,又残留于通道区域上之际,系以其作为光罩,而对于曝露于此光罩外之前述绝缘膜之表面进行若干程度之蚀刻。11.根据申请专利范围第10项之显示装置之制造方法,其中残留于通道区域与LDD区域上之光阻膜,系于通道区域上以较大之厚度形成,而于LDD区域上则以较小之厚度形成,至于残留于通道区域上之光阻膜,则系将残留于通道区域与LDD区域上之前述光阻膜灰化(Ashing)所形成。12.一种显示装置,其特征在于:具有:形成于基板上之半导体层,形成于前述半导体层上之闸极绝缘膜,形成于前述闸极绝缘膜上之第一绝缘膜,及介以形成于上述闸极绝缘膜与第一绝缘膜之接触孔,与前述半导体层电连接之电极;前述接触孔之前述半导体层侧之侧面的相对前述基板之角度,系较前述接触孔之前述第一绝缘膜上面侧之侧面的相对前述基板之角度为小。13.根据申请专利范围第12项之显示装置,其中前述接触孔系由异向性蚀刻与等向性蚀刻所形成。14.一种显示装置,其特征在于:具有:形成于基板上之半导体层,形成于前述半导体层上之金属层,形成于前述半导体层与金属层上之闸极绝缘膜,形成于前述闸极绝缘膜上之第一绝缘膜,及介以形成于前述闸极绝缘膜与第一绝缘膜之接触孔,与前述金属层电连接之电极;前述金属层之上面的宽度,系较前述金属层之下面的宽度为宽广。15.根据申请专利范围第14项之显示装置,其中前述金属层之上面的宽度,系较前述接触孔之下面的宽度为宽广。图式简单说明:图1系揭示根据本发明之显示装置之薄膜电晶体之一实施例之结构图,亦系图3 I-I线之剖面图。图2系揭示根据本发明之显示装置之一实施例之概略平面图。图3系揭示根据本发明之显示装置之画素之一实施例之平面图。图4(a)~(e)系揭示根据本发明之显示装置之制造方法之一实施例之步骤图。图5(a)~(d)系揭示根据本发明之显示装置之制造方法之另一实施例之步骤图。图6(a)~(f)系揭示根据本发明之显示装置之制造方法之另一实施例之步骤图。图7系揭示根据图5所示之步骤所制造之薄膜电晶体之闸极电极之图案(Pattern)之说明图。图8(a)~(d)系揭示根据本发明之显示装置之制造方法之另一实施例之步骤图。图9(a)~(b)系揭示根据本发明之显示装置之制造方法之实施例之步骤图。图10(a)~(b)系揭示根据本发明之显示装置之制造方法之另一实施例之步骤图。图11系揭示根据本发明之显示装置之制造方法之另一实施例之步骤图。图12(a)~(g)系揭示根据本发明之显示装置之制造方法之另一实施例之步骤图。 |
