发明名称 液晶显示器
摘要 在一液晶显示器中,液晶层系夹置于其上形成有互连与薄膜电晶体之一下方基板,与配设成面向下方基板之一对向基板之间。并提供有内部形成有反射电极之反射区及内部形成有透明电极之透明区,以及在对向基板上形成有共同电极。当反射电极与透明电极及共同电极间供应以电压时,液晶层即被驱动。而供应于接触液晶层之下方基板该表面上之驱动电压,与供应于接触液晶层之对向基板该表面上之驱动电压等两者间之电位差,系藉透明区与反射区之静电电容的容量性分配,乃可作成透明区小于反射区者。此即可使在反射模式及在传输模式中,均可令照度最大化,故即或是反射区与透明区间所围绕范围附近,液晶分子之对正亦不致发生扰乱者。
申请公布号 TW583427 申请公布日期 2004.04.11
申请号 TW091118664 申请日期 2002.08.19
申请人 NEC液晶科技股份有限公司 发明人 池野英德;铃木成嘉
分类号 G02F1/13 主分类号 G02F1/13
代理机构 代理人 何金涂 台北市大安区敦化南路二段七十七号八楼
主权项 1.一种液晶显示器,包括:-下方基板,其上形成有互连及薄膜电晶体;-对向基板,系配设成面向该下方基板;-液晶层,系夹置于该下方基板及该对向基板间;-反射电极,系形成于该下方基板之反射区中;-透明电极,系形成于该下方基板之透明区中;-共同电极,系形成于该对向基板上;及-驱动电路,用以在该反射电极与该透明电极及该共同电极间施加电压;因之,施加于接触该液晶层之该下方基板表面上的驱动电压,及施加于该对向基板接触该液晶层之表面上的驱动电压等两者间之电位差,系作成该透明区中者为低于该反射区中者。2.如申请专利范围第1项之液晶显示器,其中施加于接触该液晶层之该下方基板表面上的驱动电压,及施加于该对向基板接触该液晶层之表面上的驱动电压等两者间之电位差,系藉该反射区之静电电容的容量分配,使该透明区之电位差低于该反射区者。3.如申请专利范围第1项之液晶显示器,其中一窝室间隙系在透明区中之液晶层厚度,系实质等于一在反射区中之液晶层厚度的窝室间隙。4.如申请专利范围第2项之液晶显示器,其中一窝室间隙系在透明区中之液晶层厚度,系实质等于一在反射区中之液晶层厚度的窝室间隙。5.如申请专利范围第1~4项中任一项之液晶显示器,其中一绝缘层沈积在该等薄膜电晶体上;于该绝缘层之预定区域上,形成以该反射电极及该透明电极;藉在该绝缘层中形成之一接触孔,该透明电极系电气性地连接于各该薄膜电晶体之源电极;且藉一绝缘膜,该对向基板系连接于该透明电极者。6.如申请专利范围第1~4项中任一项之液晶显示器,其中一绝缘层沈积在该薄膜电晶体上;于该绝缘层之预定区域上,形成该反射电极及该透明电极;藉在该绝缘层中形成之一接触孔,该透明电极系电气性地连接于各该薄膜电晶体之源电极;该对向基板系电气性地连接于该透明基板;及一绝缘膜沈积在接触该液晶层之该对向基板表面上。7.如申请专利范围第1~4项中任一项之液晶显示器,其中一绝缘层沈积在该等薄膜电晶体上;该反射电极及透明电极系形成于该绝缘层之预定区域上;该透明电极藉在该绝缘层中形成之一接触孔,电气性地连接于各该薄膜电晶体之源电极;该对向基板电气性地连接于该透明基板;及一绝缘膜沈积在面向该反射电极之该对向基板区域上。8.如申请专利范围第1~4项中任一项之液晶显示器,其中一绝缘层沈积在该等薄膜电晶体上;该反射电极及透明电极系形成在该绝缘层之预定区域上;该透明电极系藉在该绝缘层中形成之一接触孔而电气性地连接于各该薄膜电晶体之源电极;该对向基板系电气性地连接于该透明电极;及一绝缘膜系沈积于该反射电极与面向该反射电极之该对向基板区域上。9.如申请专利范围第1~4项中任一项之液晶显示器,其中一绝缘层沈积在该等薄膜电晶体上;该反射电极及透明电极系形成于该绝缘层之预定区域上;该透明电极系藉在该绝缘层中形成之一接触孔而电气性地连接于各该薄膜电晶体之源电极;一第二源电极系藉一绝缘膜而连接于该源电极;及该反射电极系藉在该绝缘层中形成之一接触孔而电气性地连接于该第二源电极者。10.如申请专利范围第1~4项中任一项之液晶显示器,其中一绝缘层沈积在该等薄膜电晶体;该透明电极系形成在该绝缘层上;一绝缘膜沈积在该透明电极上;该反射电极形成于该绝缘膜上;该透明电极系藉在该绝缘层中形成之一接触孔而电气性地连接于各该薄膜电晶体之源电极;及诸开孔在该反射电极与对该透明电极之绝缘膜上形成。11.如申请专利范围第10项之液晶显示器,其中该绝缘层上系作成起伏状;且该等开孔系形成在该等起伏状之顶部周围区域中及/或底部周围区域中者。12.如申请专利范围第5项之液晶显示器,其中该绝缘膜系由选自SiN、SiO2.Ti2O3.Ta2O5.SiO、Al2O5.压克力及亚酮所形成者。13.如申请专利范围第6项之液晶显示器,其中该绝缘膜系由选自SiN、SiO2.Ti2O3.Ta2O5.SiO、Al2O5.压克力及亚酮所形成者。14.如申请专利范围第7项之液晶显示器,其中该绝缘膜系由选自SiN、SiO2.Ti2O3.Ta2O5.SiO、Al2O5.压克力及亚酮所形成者。15.如申请专利范围第8项之液晶显示器,其中该绝缘膜系由选自SiN、SiO2.Ti2O3.Ta2O5.SiO、Al2O5.压克力及亚酮所形成者。16.如申请专利范围第9项之液晶显示器,其中该绝缘膜系由选自SiN、SiO2.Ti2O3.Ta2O5.SiO、Al2O5.压克力及亚酮所形成者。17.如申请专利范围第10项之液晶显示器,其中该绝缘膜系选自SiN、SiO2.Ti2O3.Ta2O5.SiO、Al2O5.压克力及亚酮所形成者。18.如申请专利范围第11项之液晶显示器,其中该绝缘膜系由选自SiN、SiO2.Ti2O3.Ta2O5.SiO、Al2O5.压克力及亚酮所形成者。19.如申请专利范围第1项之液晶显示器,其中一第一颜色过滤器形成在对向基板上,一第二颜色过滤器形成在该等薄膜电晶体上,且该反射电极形成在该第二颜色过滤器上。图式简单说明:第1图为传统半传输型液晶显示器之平面图。第2图为传统半传输型液晶显示器之剖面图。第3图为传统半传输型液晶显示器中,因电力线所致的扰乱图。第4图为传统半传输型液晶显示器中,液晶分子于旋转方向之扰乱图。第5图为在反射模式与传输模式中,液晶层之厚度与输出光之光度两者间之关系曲线图。第6图为系本发明第一实施例之半传输型液晶显示器部分剖面图。第7图为第一实施例之下方基板一部分剖面图,系以简化形态表示。第8图为第6及7图所例示构成之等效电路图。第9A至9F图系例示第一实施例之下方基板的制程图。第10图为第二实施例之下方基板一部分剖面图,系以简化形态作表示。第11A至11E图系第二实施例之下方基板制程图。第12图为第三实施例之下方基板一部分剖面图,系以简化形态作表示。第13A至13F图系第三实施例之下方基板制程图。第14图为第四实施例之下方基板一部分剖面图,系以简化形态作表示。第15A至15F图系第四实施例之下方基板制程图。
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