| 主权项 |
1.一种配线基板,其特征在一个以上之在介电物体 表面上形成的具有50到150m范围之直径及比该直 径深的封闭底部之通路,在或覆盖在通路内之侧壁 和底部加上该介电物体之表面上形成连续铜层,及 或覆盖在通路内之侧壁和底表面上之该铜层的厚 度比覆盖在该介电物体表面之该铜层的厚度大0.9 倍以上。2.如申请专利范围第1项的配线基板,其特 征在通路内之侧壁的表面及该介电物体之上表面 呈现一落在90至100度之范围的角。3.如申请专利范 围第1项的配线基板,其特征在该铜层系藉由无电 镀铜形成。4.一种多层配线基板,其特征在包括一 配线结构,该配线结构基本上由一内部具有一个以 上之通路的介电体所组成,该通路在介电体之表面 上具有50到150m范围的直径和侧壁以允许该配线 之部份的部份曝露加上封闭底部,及一铜层经由无 电镀铜连续涂布在该介电物体之表面上至通路内 之侧壁和底部上,其中该铜层在通路内之侧壁和底 部之厚度比该铜层在该介电物体表面之厚度大0.9 倍以上。5.如申请专利范围第4项的多层配线基板, 其特征在一由涂布在该介电体表面之铜层表面和 涂布在该通路内之侧壁的铜层表面所界定之角落 在从90到100度的范围内。6.一种多层配线基板,其 特征在包括第一介电层,层压在其上之第二介电层 ,形成于该第一介电层和该第二介电层之间的配线 层,延伸经过该第二介电层以允许该配线层向侧壁 之部份曝露及具有范围为1.0到2.0之长宽比的通路, 藉由由无电镀铜在或覆盖在该第二介电层所形成 之第一铜层,藉由无电镀铜在该欲与该第一铜层连 接的通路之侧壁或底部所形成同时具有大于该第 一铜层之厚度0.9倍以上之第二铜层。7.如申请专 利范围第6项的多层配线基板,其特征在该通路孔 具有范围落在50到150m之直径。8.一种无电镀铜 液,其特征在其中包含至少一种铜离子和铜离子的 复合剂,且其中加入0.0005至0.02mol/l之扁桃和三乙 基四胺中至少一者。9.一种制造配线基板的方法, 在其特征在包括步骤:在内部具有配线层之介电体 中提供一个以上之通路以让该配线层部份曝露,及 藉由使用如申请专利范围第8项的无电镀铜液将无 镀铜施加至该通路内表面。10.一种无电镀铜液,其 特征在其中包含一种铜离子,铜离子的复合剂,铜 离子的还原剂,同时包括一种2,2'-联苯、1,10-菲 和2,9-二甲基-1,10-菲中至少一者之添加剂,及进 一步包括0.0005至0.0lmol/l之扁桃、三乙基四胺和 羊毛铬黑T中至少一者的添加剂。11.一种制造配线 基板的方法,其特征在包括步骤:在内部具有配线 层之介电体中提供一个以上之通路以让该配线层 部份曝露,及藉由使用如申请专利范围第10项的无 电镀铜液将无镀铜施加至该通路内表面。图式简 单说明: 图1为说明本发明的图示,其显示配线基板之主要 部份的横截面图。 图2为显示由合并本发明原理之方法所形成的多层 配线基板之主要部份的截面图。 图3为比较说明本发明效果的图式,其显示多层配 线基的板主要部份之截面。 |
