| 主权项 |
1.一种半导体装置,其系具备有: 具有主表面,且于该主表面形成有沟渠之半导体基 板; 用以充填前述沟渠,且具有第1顶面之分离绝缘膜; 形成于前述主表面上,且具有第2顶面之闸极绝缘 膜; 位于前述闸极绝缘膜与前述分离绝缘膜之间,形成 于前述主表面上,且具有第3顶面之中间绝缘膜;以 及 形成于前述第1至第3顶面之上的闸极电极; 同时,前述分离绝缘膜、前述闸极绝缘膜及前述中 间绝缘系具有大致同一组成; 且若将从前述主表面至前述第1顶面之高度设定为 h1,将从前述主表面至前述第2顶面之高度设定为h2, 将从前述主表面至前述第3顶面之高度设定为h3时, 则前述高度h1.h2.h3系满足h2<h3<h1所示之关系。2.如 申请专利范围第1项之半导体装置,其中,前述第1至 第3顶面系形成为连续之阶梯状,且前述第1至第3顶 面系形成为与前述主表面大致平行。3.一种半导 体装置之制造方法,其系包括有: 于半导体基板之主表面形成沟渠的步骤; 形成用以充填前述沟渠之分离绝缘膜的步骤; 形成用以覆盖连接于前述分离绝缘膜之前述主表 面之第1绝缘膜的步骤; 覆盖连接于前述分离绝缘膜之前述第1绝缘膜之部 分,且于前述第1绝缘膜上形成用以使前述第1绝缘 膜之其他部分露出之遮罩层的步骤; 以前述遮罩层作为遮罩,对从前述遮罩层露出之前 述第1绝缘膜之部分进行蚀刻,以使前述主表面露 出的步骤; 在露出之前述主表面形成闸极绝缘膜,同时增加残 留在前述分离绝缘膜与前述闸极绝缘膜之间之前 述第1绝缘膜的厚度,以形成中间绝缘膜的步骤;以 及 在前述闸极绝缘膜、前述中间绝缘膜及前述分离 绝缘膜之上形成闸极电极之步骤。图式简单说明: 第1图系本发明之实施型态1之半导体装置的俯视 图 第2图系沿着第1图中之II-II线之剖视图。 第3图系沿着第1图中之III-III线之剖视图。 第4图系第1图所示之半导体装置之制造方法的第1 步骤之剖视图。 第5图系第1图所示之半导体装置之制造方法的第2 步骤之剖视图。 第6图系第1图所示之半导体装置之制造方法的第3 步骤之剖视图。 第7图系第1图所示之半导体装置之制造方法的第4 步骤之剖视图。 第8图系本发明之实施型态2之半导体装置之剖视 图。 第9图系第8图所示之半导体装置之制造方法的第1 步骤的剖视图。 第10图系第8图所示之半导体装置之制造方法的第2 步骤的剖视图。 第11图系第8图所示之半导体装置之制造方法的第3 步骤的剖视图。 第12图系用以说明习知之沟渠元件分离之半导体 基板的剖视图。 第13图系用以说明习知技术所产生之问题的半导 体基板之剖视图。 |
