| 主权项 |
1.一种矽铝磷酸盐分子筛,其包含至少一个具有AEI 及CHA架构类型之分子筛的相互交叉相(intergrown phase),其中该相互交叉相所具有之AEI/CHA比例为5/95 至40/60,该比例系藉由DEIFFaX分析法,使用该矽铝磷 酸盐分子筛之烧样本的粉末X光绕射图型所测定 的。2.如申请专利范围第1项之矽铝磷酸盐分子筛, 其中该相互交叉相所具有之AEI/CHA比例为7/93至38/62 。3.如申请专利范围第1项之矽铝磷酸盐分子筛,其 中该相互交叉相所具有之AEI/CHA比例为8/92至35/65。 4.如申请专利范围第1项之矽铝酸磷盐分子筛,其中 该相互交叉相所具有之AEI/CHA比例为9/91至33/67。5. 如申请专利范围第1项之矽铝磷酸盐分子筛,其中 具有CHA架构类型的分子筛为SAPO-34。6.如申请专利 范围第1项之矽铝磷酸盐分子筛,其中具有AEI架构 类型之分子筛为SAPO-18.ALPO-18或SAPO-18及ALPO-18的混 合物。7.如申请专利范围第1项之矽铝磷酸盐分子 筛,其中该矽铝磷酸盐分子筛所具有之X光绕射图 型在5至25(2)范围内之下列各范围内,具有至少一 个反射峰: 。8.如申请专利范围第5项之矽铝磷酸盐分子筛,其 中该X光绕射图型在9.8至12.0(2)范围内没有反射 峰。9.如申请专利范围第5项之矽铝磷酸盐分子筛, 其中该X光绕射图型没有以16.9(2)为中心之宽广 图徵(feature)。10.如申请专利范围第8项之矽铝磷酸 盐分子筛,其中该X光绕射图型没有以16.9(2)为中 心之宽广图徵(feature)。11.如申请专利范围第6项之 矽铝磷酸盐分子筛,其中在17.7-18.1(2)范围内之反 射峰相所具有的相对强度系在0.09至0.40之间(对于 SAPO-34绕射图型在17.9(2)之反射峰),所有的绕射图 型皆已归一化至20.5-20.7(2)范围内的反射峰强度 値。12.如申请专利范围第11项之矽铝磷酸盐分子 筛,其中在17.7-18.1(2)范围内之反射峰所具有的相 对强度系在0.01至0.35之间(相对于SAPO-34绕射图型在 17.9(2)之反射峰),所有的绕射图型皆已归一化至 20.5-20.7(2)范围内的反射峰强度値。13.如申请专 利范围第1项之矽铝磷酸盐分子筛,其中氧化矽相 对于氧化铝的莫耳比例(SiO2/Al2O3)范围系在0.01至0. 25之间。14.如申请专利范围第13项之矽铝磷酸盐分 子筛,其中氧化矽相对于氧化铝的莫耳比例(SiO2/Al2 O3)范围系在0.02至0.20之间。15.如申请专利范围第13 项之矽铝磷酸盐分子筛,其中氧化矽相对于氧化铝 的莫耳比例(SiO2/Al2O3)范围系在0.03至0.19之间。16. 如申请专利范围第1项之矽铝磷酸盐分子筛,其中 该分子筛系由晶状板片、小板片或是堆积的小板 片所组成。17.如申请专利范围第16项之矽铝磷酸 盐分子筛,其中分子筛之平均最小晶体尺寸系小于 0.1。18.一种触媒,其包含10至90重量%之如申请专 利范围第1项之矽铝磷酸盐分子筛以及90至10重量% 之黏合剂。19.一种由含氧物原料制造烯属烃产物 的方法,其包含在可有效形成烯属烃产物的条件下 ,令该含氧物原料与包含矽铝磷酸盐分子筛的触媒 接触,该矽铝磷酸盐分子筛包含至少一个具有AEI及 CHA架构类型知分子筛的相互交叉相(intergrown phase), 其中该相互交叉相所具有之AEI/CHA比例为5/95至40/60 ,该比例系藉由DEIFFaX分析法,使用该矽铝磷酸盐分 子筛之烧样本的粉末X光绕射图型所测得的。20. 如申请专利范围第19项之方法,其中该含氧物系选 自:甲醇;乙醇;正丙醇;异丙醇;C4-C20醇类;甲基乙基 醚;甲醚;乙醚;异丙醚;甲醛;碳酸二甲酯;二甲基酮; 乙酸;以及彼等之混合物。21.如申请专利范围第20 项之方法,其中该含氧物系选自:甲醇;甲醚;及彼等 之混合物。22.如申请专利范围第19项之方法,其中 该含氧物为甲醇。23.如申请专利范围第19项之方 法,其中对于乙烯及丙烯的选择率系等于或大于75. 0%。24.如申请专利范围第23项之方法,其中乙烯相 对于丙烯的比例系等于或大于0.75。25.如申请专利 范围第24项之方法,其中对于丙烷的选择率系等于 或小于1.0%。26.如申请专利范围第19项之方法,其中 对于丙烷的选择率系等于或小于1.0%。27.一种矽铝 磷酸盐分子筛,其所呈现出之X光绕射图型在5至25(2 )范围内之下列各范围内,具有至少一个反射峰: ,但在9.8至12.0(2)范围内没有反射峰。28.如申请 专利范围第27项之矽铝磷酸盐分子筛,其所呈现出 的X光绕射图型没有以16.9(2)为中心之宽广图徵( feature)。29.如申请专利范围第28项之矽铝磷酸盐分 子筛,其中在17.7-18.1(2)范围内的反射峰所具有之 相对强度系在0.09至0.40之间(相对于SAPO-34绕射图型 在17.9(2)之反射峰),所有的绕射图型皆已归一化 至20.5-20.7(2)范围内的反射峰强度値。30.如申请 专利范围第28项之矽铝磷酸盐分子筛,其中在17.7-18 .1(2)范围内的反射峰所具有之相对强度系在0.01 至0.35之间(相对于SAPO-34之绕射图型在17.9(2)之反 射峰),所有的绕射图型皆已归一化至 在20.5-20.7(2 )范围内的反射峰强度値。31.如申请专利范围第 28项之矽铝磷酸盐分子筛,其中该矽铝磷酸盐分子 筛之氧化矽相对于氧化铝的莫耳比例(SiO2/Al2O3)范 围系在0.01至0.25之间。32.如申请专利范围第27项之 矽铝磷酸盐分子筛,其中该矽铝磷酸盐分子筛之氧 化矽相对于氧化铝的莫耳比例(SiO2/Al2O3)范围系在0 .02至0.20之间。33.如申请专利范围第27项之矽铝磷 酸盐分子筛,其中该矽铝磷酸盐分子筛之氧化矽相 对于氧化铝的莫耳比例(SiO2/Al2O3)范围系在0.03至0. 19之间。34.如申请专利范围第28项之矽铝磷酸盐分 子筛,其中该分子筛系由晶状板片、小板片或是堆 积的小板片所组成。35.如申请专利范围第34项之 矽铝磷酸盐分子筛,其中分子筛之平均最小晶体尺 寸系小于0.1。36.一种触媒,其包含如申请专利范 围第28项之矽铝磷酸盐分子筛以及黏合剂。37.一 种供制备申请专利范围第1项之分子筛的方法,其 包含: a)在有机结构导引剂(模板)存在下,将矽的反应性 来源、磷的反应性来源及水合的氧化铝并合,以形 成一混合物; b)将步骤a)所制得之混合物持续混合及加热至达到 结晶温度; c)将该混合物维持在结晶温度且持续搅拌的条件 下,2至150小时的时间; d)回收矽铝磷酸盐分子筛的晶体,其中在步骤a)所 制得之混合物具有在下列范围内的莫耳组成:P2O5: Al2O3 0.6:1至1.2:1SiO2: Al2O3 0.005:1至0.35:1 H2O: Al2O3 10:1至40:1 且该模板为四乙基铵化合物。38.如申请专利范围 第37项之制备分子筛的方法,其中该结晶温度系在 120℃至250℃之间。39.如申请专利范围第38项之方 法,其中该结晶温度系在130℃至200℃之间。40.如申 请专利范围第39项之方法,其中该结晶温度系在150 ℃至185℃之间。41.如申请专利范围第37项之制备 分子筛的方法,其中步骤b)系进行了5至16小时的时 间。42.如申请专利范围第41项之方法,其中步骤b) 系进行了6至12小时的时间。43.如申请专利范围第 38之制备分子筛的方法,其中该模板为四乙基铵化 合物。44.如申请专利范围第43项之方法,其中该四 乙基铵化合物为氢氧化四乙基铵。45.如申请专利 范围第37项之制备分子筛的方法,其中该水合的氧 化铝为假软水铝石。46.如申请专利范围第37项之 制备分子筛的方法,其中SAPO-34晶种系与矽的反应 性来源、磷的反应性来源、水合的氧化铝以及有 机结构导引剂(模板)并合。图式简单说明: 第1a及1b系示具有各种AEI/CHA比例之相互交叉相的 DIFFaX模拟绕射图; 第2图系示本发明之矽铝磷酸盐、WO 98/154965之MTO- RUW-356的XRD绕射图以及具有各种AEI/CHA比例之相互 交叉相的DIFFaX模拟绕射图; 第3图系示具有各种AEI/CHA比例之相互交叉相在15至 19 2范围内的DTFFaX模拟绕射图; 第4a图系示依照本发明之晶状矽铝磷酸盐分子筛 的SEM照片,其系在JEOL JSM-6340F场致发射扫瞄电子显 微镜(Field Emission Scanning Electron Microscope)上,在2keV 电压下,使用20,000倍的放大倍数所得到的; 第4b图系示依照本发明之晶状矽铝磷酸盐分子筛 的TEM照片; 第5图系示依照本发明之矽铝磷酸盐分子筛的XRD绕 射图,以及比较用之WO 98/15496之MTO-RUW-356及MTO-RUW-335 T的XRD绕射图。 |
