| 主权项 |
1.一种用以在一积体电路内形成一可熔链结的方 法,包括: 在一底层互连及第一介质层的平坦表面上形成一 第二介质层; 沈积一氧化物层,其厚度于雷射熔化处理期间足以 有效地防止该氧化物层的破裂; 在该氧化物层和 第二介质层内形成一条可延伸至该底层金属互连 体之管道; 以导电材料填充该管道; 形成一最后金属层; 设定该最后金属层的图型,以便形成一可熔性链结 ,一打线垫区,和连线区; 沈积一钝化层;及 设定该钝化层的图型,俾可同时清除打线垫区以及 该可熔链结一部份区域内之钝化层,其中该可熔链 结区和打线垫区之表面系曝露在外。2.如申请专 利范围第1项之方法,其中该第一和第二介质层常 数低于3.0。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该 最后金属层包括一铝金属。4.如申请专利范围第1 项之方法,其中该管道和最后金属层包括一铝金属 。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该底层金属 互连层包括一铜金属。6.如申请专利范围第5项之 方法,其中该第一介质层包括一层SILK介质材料 。7.如申请专利范围第1项之方法,另亦包括于以金 属填充该管道之前,先在该管道内沈积一障碍层。 8.一种在一积体电路内形成一可熔链结的方法,包 括: 在一半导体基片上形成一最后金属层,其中该基片 包含利用铜金属层和一低k介质材料制成之各式装 置; 设定该最后金属层之图形,以形成一可熔链结,该 可熔链结与该积体电路内的该等装置构成电连接; 在该可熔链结上方沈积-钝化层;及 清除该可熔链结上方之部份或全部钝化层,以划定 一破裂区。9.如申请专利范围第8项之方法,其中之 最后金属层材料为铝。10.如申请专利范围第8项之 方法,其中该钝化层的厚度大于1微米。11.如申请 专利范围第8项之方法,其中该钝化层包含由一组 包括一氧化矽,一氮化矽,一氮氧化矽,以及其混合 材料中选出之任一种材料。12.如申请专利范围第8 项之方法,其中之破裂区系指该可熔链结层中某一 未覆盖该钝化层之区域。图式简单说明: 图1A至O系一依据本发明结构原则设计之一种积体 电路的各种截面图。 |
