发明名称 主动矩阵型液晶显示装置及液晶材料
摘要 施加直流电压后残留之残像得以抑制。液晶层之液晶分子具负的诱电率异方性,并且,该液晶层中含具有解离基之掺质为其特征。
申请公布号 TW583479 申请公布日期 2004.04.11
申请号 TW090113607 申请日期 2001.06.05
申请人 日立制作所股份有限公司 发明人 岩壁靖;太田益幸;松山茂;大阿久仁嗣;近藤克己
分类号 G02F1/1343;C09K19/58 主分类号 G02F1/1343
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种主动矩阵型液晶显示装置,其特征为: 包括一对基板, 夹置于该一对基板之液晶层, 配置于该一对基板与液晶层之间的规定该液晶层 之液晶分子的定向方向之配向膜,及 施加电压于该液晶层之像素电极与对向电极,而且 其中 上述液晶层之液晶分子具有负的诱电率异方性,同 时,该液晶层中含具有解离基之掺质。2.如申请专 利范围第1项之主动矩阵型液晶显示装置,其中上 述像素电极或对向电极之至少任一电极,其电极宽 度在1至15微米,电极间隔为1至10微米,且该像素电 极和对向电极之任一者系由透明电极构成。3.如 申请专利范围第2项之主动矩阵型液晶显示装置, 其中上述透明电极含ITO或IZO之任何一种。4.如申 请专利范围第1项之主动矩阵型液晶显示装置,其 中上述像素电极和对向电极系具有多数折屈部之 锯齿状。5.如申请专利范围第4项之主动矩阵型液 晶显示装置,其中上述 形成矩阵状之多数影像信号线及多数扫瞄信号线 的各交叉部具备有薄膜电晶体, 该薄膜电晶体的个别形成之每一像素至少有一对 上述像素电极和对向电极,且系形成于与上述扫瞄 信号线之延伸方向相同之方向。6.如申请专利范 围第1项之主动矩阵型液晶显示装置,其中上述液 晶组成物所含之上述掺质 仅于分子短轴方向具有解离基,同时,该分子短轴 方向之二末端系烷基或烷氧基, 以100ppm以上,1000ppm以下之范围含于上述液晶层中 。7.如申请专利范围第6项之主动矩阵型液晶显示 装置,其中上述掺质系下述结构之化合物 Y1:COOH、-CONH2.-NH2.-OH、-NHR、-NR2之任一种 Y2:氢、F、CN、COOH、-CONH、-NH2.-OH之任一种 Y3:氢,F、CN、COOH、-CONH、-NH2.-OH之任一种 Y4:氢、F、CN、COOH、-CONH、-NH2.-OH之任一种 X1:单键、-CO-O-、-O-CO-、-COCH2-、-CH2-CO-、-CH2O-、-OCH 2-、-CH2-CH2-、-CH=CH-之任一种 X2:单键、-CO-O-、-O-CO-、-COCH2-、-CH2-CO-、-CH2O-、-OCH 2-、-CH2-CH2-、-CH=CH-之任一种 A1:单键、苯基、环己基之任一种 A2:单键、苯基、环己基之任一种 R1:烷基或烷氧基之任一种 R2:烷基或烷氧基之任一种8.如申请专利范围第6项 之主动矩阵型液晶显示装置,其中上述掺质系下述 结构之化合物 Y1:COOH、-CONH2.-NH2.-OH、-NHR、-NR2之任一种 Y2:氢、F、CN、COOH、-CONH、-NH2.-OH之任一种 X1:单键、-CO-O-、-O-CO-、-COCH2-、-CH2-CO-、-CH2O-、-OCH 2-、-CH2-CH2-、-CH=CH-之任一种 X2:单键、-CO-O-、-O-CO-、-COCH2-、-CH2-CO-、-CH2O-、-OCH 2-、-CH2-CH2-、-CH=CH-之任一种 A1:单键、苯基、环己基之任一种 A2:单键、苯基、环己基之任一种 R1:氢、烷基或烷氧基之任一种 R2:氢、烷墓或烷氧基之任一种。9.一种主动矩阵 型液晶显示装置,其特征为: 包括一对基板, 夹置于该一对基板之液晶层, 规定配置于该一对基板与该液晶层之间的液晶分 子之定向方向的配向膜,及 施加电压于该液晶层之像素电极和对向电极,并且 其中 上述液晶层之液晶分子具有正的介电率各向异性, 同时,该液晶层中含具有解离基之掺质。10.如申请 专利范围第9项之主动矩阵型液晶显示装置,其中 上述像素电极和对向电极系具有多数折屈部之锯 齿状。11.如申请专利范围第10项之主动矩阵型液 晶显示装置,其中 形成矩阵状之多数影像信号线及多数扫瞄信号线 之各交叉部具备有上述薄膜电晶体, 个别形成于该交叉部之每一像素形成至少一对上 述之像素电极和对向电极,且系形成于与上述影像 信号之延伸方向相同之方向。12.如申请专利范围 第11项之主动矩阵型液晶显示装置,其中上述像素 电极和对向电极之任一含ITO或IZO之任何一种。13. 如申请专利范围第1或9项之主动矩阵型液晶显示 装置,其中包括 形成于上述一对基板之一基板的液晶侧之上述扫 瞄信号线及上述对向电极,及施加对向电压于该对 向电极之对向电压信号线, 形成于该扫瞄信号线、该对向电极及该对向电压 信号线之上的闸极绝缘膜, 形成于该闸极绝缘膜上之上述像素电极, 形成于该像素电极上之保护膜,及 形成于上述钝化膜与上述液晶层之间的上述配向 膜, 该液晶层之比电阻値在1.0109欧姆公分以上,1.01 012欧姆公分以下。14.如申请专利范围第13项之 主动矩阵型液晶显示装置,其中包括 形成于上述一对基板之另一基板的液晶层侧之彩 色滤光膜, 该彩色滤光膜上形成矩阵状之黑矩阵,及 形成于该黑矩阵上之顶涂膜, 该顶涂膜与上述液晶层之间形成有上述配向膜。 15.如申请专利范围第13项之主动矩阵型液晶显示 装置,其中上述钝化膜系0.1微米以上,1微米以下膜 厚之氧化矽膜或氮化矽膜之无机膜,或2微米以上,3 微米以下之聚亚胺所成之有机膜。16.如申请专 利范围第1或9项之主动矩阵型液晶显示装置,其中 上述配向膜之膜厚在20奈米至300奈米。17.如申请 专利范围第16项之主动矩阵型液晶显示装置,其中 上述配向膜系以聚亚胺为主要成分。18.如申请 专利范围第15项之主动矩阵型液晶显示装置,其中 上述钝化膜与上述配向膜之间形成有与上述像素 电极、上述对向电极、上述扫瞄信号线、上述影 像信号线或上述对向电压信号线之任一电连接的 电极。19.如申请专利范围第18项之主动矩阵型液 晶显示装置,其中使上述电极经通孔与上述像素电 极、上述对向电极、上述扫瞄信号线、上述影像 信号线或上述对向电压信号线之任一电连接。20. 一种液晶组成物质,其特征为: 于介电率各向异性为负之液晶组成物质,以100ppm以 上1000ppm以下之范围添加 仅于分子短轴方向具有解离基, 该分子短轴方向之二末端为烷基或烷氧基之掺质 。21.如申请专利范围第20项之液晶组成物质,其中 上述掺质系下述结构之化合物, Y1:COOH、-CONH2.-NH2.-OH、-NHR、-NR2之任一种 Y2:氢、F、CN、COOH、-CONH、-NH2.-OH之任一种 Y3:氢、F、CN、COOH、-CONH、-NH2.-OH之任一种 Y4:氢、F、CN、COOH、-CONH、-NH2.-OH之任一种 X1:单键、-CO-O-、-O-CO-、-COCH2-、-CH2-CO-、-CH2O-、-OCH 2-、-CH2-CH2-、-CH=CH-之任一种 X2:单键、-CO-O-、-O-CO-、-COCH2-、-CH2-CO-、-CH2O-、-OCH 2-、-CH2-CH2-、-CH=CH-之任一种 A1:单键、苯基、环己基之任一种 A2:单键、苯基、环己基之任一种 R1:烷基或烷氧基之任一种 R2:烷基或烷氧基之任一种。22.如申请专利范围第 20项之液晶组成物质,其中上述掺质系下述结构之 化合物, Y1:COOH、-CONH2.-NH2.-OH、-NHR、-NR2之任一种 Y2:氢、F、CN、COOH、-CONH、-NH2.-OH之任一种 X1:单键、-CO-O-、-O-CO-、-COCH2-、-CH2-CO-、-CH2O-、-OCH 2-、-CH2-CH2-、-CH=CH-之任一种 X2:单键、-CO-O-、-O-CO-、-COCH2-、-CH2-CO-、-CH2O-、-OCH 2-、-CH2-CH2-、-CH=CH-之任一种 A1:单键、苯基、环己基之任一种 A2:单键、苯基、环己基之任一种 R1:氢、烷基或烷氧基之任一种 R2:氢、烷基或烷氧基之任一种23.如申请专利范围 第20项之液晶组成物质,其中上述液晶组成物质具 有二氟苯结构、二氰基苯结构或单氰基环己烷结 构之任一种。24.如申请专利范围第13项之主动矩 阵型液晶显示装置,其中上述钝化膜系0.1微米以上 ,4微米以下。图式简单说明: 第1图 主动矩阵型彩色液晶显示装置之液晶显示 部的一像素及其周边之构造例的俯视图。 第2图 第1图之沿Ⅱ-Ⅱ线之剖视图。 第3图 第1图之沿Ⅲ-Ⅲ线的薄膜电晶体TFT之剖视图 。 第4图 第1图之沿Ⅳ-Ⅳ线的储存电容器Cstg形成部 之剖视图。 第5图 电场施加方向与平磨方向及偏光板穿透轴 之关系的说明图。 第6图 用以说明显示面板之矩阵周边部之构造的 俯视图。 第7图 左侧系闸极信号端子,右侧系无外部连接端 子之面板边缘部份之说明图。 第8图 呈示闸极端子GTM与闸极配线GL之连接部附近 之构造的一例之俯视图及剖视图。 第9图 呈示汲极端子DTM与汲极信号线DL之连接部附 近之构造的一例之俯视图及剖视图。 第10图 呈示对向电极端子CTM与公用滙流线CB及公 用电压信号线CL之连接部附近的构造之一例的俯 视图及剖视图。 第11图 包含主动矩阵型彩色液晶显示装置之矩阵 部及其周边之电路图。 第12图 本发明之主动矩阵型彩色液晶显示装置之 驱动波形之说明图。 第13图 呈示液晶显示面板构装上驱动电路之状态 的俯视图。 第14图 基板SUB1侧之制造步骤说明图。 第15图 基板SUB1侧之第14图的后续步骤之说明图。 第16图 呈示主动矩阵型彩色液晶显示装置之液晶 显示部的另一实施例之一像素的俯视图。 第17图 呈示主动矩阵型彩色液晶显示装置之液晶 显示部的另一实施例之一像素的俯视图。 第18图 呈示主动矩阵型彩色液晶显示装置之液晶 显示部的另一实施例之一像素的俯视图。 第19图 呈示主动矩阵型彩色液晶显示装置之液晶 显示部的另一实施例之一像素的俯视图。 第20图 呈示主动矩阵型彩色液晶显示装置之液晶 显示部的另一实施例之一像素的俯视图。 第21图 呈示主动矩阵型彩色液晶显示装置之液晶 显示部的另一实施例之一像素的俯视图。
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