| 摘要 |
<P>L'invention vise un procédé pour réaliser un substrat comportant une couche mince transférée d'une plaquette donneuse sur un support, ladite couche mince comportant des espèces étrangères destinées à modifier ses propriétés. Il comprend selon l'invention les étapes séquentielles suivant :- implantation d'espèces atomiques dans une zone de la plaquette donneuse (20) sensiblement dépourvue des espèces étrangères (24), pour former une zone de fragilisation (22) au-dessous d'une face de collage, la zone de fragilisation et la face de collage délimitant une couche mince (23) à transférer,- collage de la plaquette donneuse (20), au niveau de sa face de collage, sur un support (10),- application de contraintes en vue d'effectuer une fracture dans la région de la zone de fragilisation (22) et d'obtenir un substrat comportant le support (10) et la couche mince (23),et en outre une étape de diffusion des espèces étrangères (24) dans l'épaisseur de la couche mince (23) avant implantation ou après fracture.Application notamment à la réalisation de substrats avec couche mince de InP rendue semi-isolante par diffusion de fer.</P>
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