| 发明名称 |
METHOD FOR FORMING INSULATING FILM ON SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SUBSTRATE-PROCESSING APPARATUS |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
AU2003264511(A1) |
申请公布日期 |
2004.04.08 |
| 申请号 |
AU20030264511 |
申请日期 |
2003.09.19 |
| 申请人 |
TOKYO ELECTRON LIMITED |
发明人 |
MASANOBU IGETA;SHINTARO AOYAMA;HIROSHI SHINRIKI |
| 分类号 |
H01L21/31;H01L21/00;H01L21/314;H01L21/318;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/318 |
主分类号 |
H01L21/31 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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